Способ записи информации в односекционный сегнетопьезоэлектрический запоминающий элемент состоит в том, что при записи 1 в пьеЭопластину 1 к управляющим электродам 2 и 3 через шины 4 и 5 прикладывают импульс напрИ ёнйя поляризации, например /положительной полярнЬсти (см.фиг.2а) достаточной амплитуды и длительности, и пШяфйзуют участок пьезопластины 1 между электродами 2 и 3. Полярность
ййнуийса зависит от питающих напряжений, системы выбранных потенциалоТв и не имеет существенного значения для способа. При записи О произв ТУЯт деполяризацию участка пластины между электродами 2 и 3. Для этйГО к электродам 2,3 прикладывают серКю импульсов, прлярность которых ггрб Т в 5Положйа полярности напряжения при поляризации (записи 1), но равных ему по амплитуде (см.фиг.2б). Длительность импульсов напряжения деполяризации выбирают на два
ПЪ сдКз мё нбшё длRTeль нос ти импульса напряжения поляризации.При
Приложении серии импульсов в пределах от 10 до 50 для пьеэокерамики типа ЦТС-19, остаточная полярй31ация, заданная при записи 1, значительно уменьшается, более чей в 20 раз.
Способ считывания информации из бДйосёкционного сетнетопьезрэлектри Гё ёКОгб запоминающего элемента состоит в том, что к электродам 2,3 запоминающего элемента прикладывают импульсы напряжения (см.фиг.За) и хранимую информацию (1 или О) определяют по пьезотоку, протекающему через элемент. Амплитуда и длиТёИь;нретьимпульсов считывания недостаточна как для полной, так и для частичной поляризации или деполяризации материала элемента. На фиг. 35 показан ток через элемент , при выбранной форме напряжения считывания, при считывании 1 и О. При считывании 1 после тока заряда, SjfieWeHTa до напряжения Uo через элемент протекает ток 3ц Mj , обусловленный пьезрпреобразованиями в поляризованном элементе. При считывании О после заряда элементна „,, до напряжения Ug, ток, обусловленный пьезопреобразованиями, в эле менте
We TipOTeKaeT, так как участок материала между электродами 2 и .3 деполяризован, и элемент не обладает пьезосвойетвами ; и при приложении наПрягжения в элеме:нте пьеэопрёобразОвания отсутствуют. Выбором длительности фронта обеспечивается то, что токи 3{, и Лцч разйесены во времени из-за запаздаайаййя электромехаHHfTeeTifHX процессов во времени по
.отношению к моменту приложения напряжения О.. .Ампер-секундная площгщь информационного тока в переходном режиме зависит от свойств материала, коэффициента электромеханической связи и для лучших материалов может составлять до 70% от амперсекундной пло1дади тока DO, Отношение величин токов 3 и ЗцНр находится, в прямом соотношении от отношения величин остаточной поляризации в поляризованном и деполяризованном состояниях.
Описанный способ записи и считывания информации позволяет перейти к элементам двухполюсного типа, сохранив у них преимущества, которыми обладают элементы трех- и.четырехполюсного типа (скоростное неразрушающее считывание, сохранение информации при полностью отключенном пиQ тании, неограниченное количество циклов записи и считывания, широкий ди-. апазон рабочих температур и т.п.).
Формула изобретения
1.Способ записи и считывания информации в сегнетопъеэоэлектрическОМ бдносёкционном запоминающем элементе, заключающийся в подаче на
управляющие электроды элемента в режиме записи единицы импульса напряжения поляризации, отличающ и и с Я тем, что, с целью повышения быстродействия способа, при записи нуля деполяризуют сегнетопьезоэлектрическую пластину элемента,при считывании информации на управляющие электроды подают импульс напряжения, не превышающий по амплитуде величину импульса напряжения поляризации, а записанную информацию определяют по наличию пьезотока на выходе элемента.
2.Способ по п.1, о т л и ч а ющи и с я тем, что деполяризацию
сегнетопьезоэлектрической пластины элемента осуществляют подачей серии импульсов напряжения деполяризации с полярностью, противоположной полярностйймпульеа напряжения поля изации, амплитудой, равнсрй амплитуде импульса напряжения поляризации, и длительностью на два порядка меньше длительности импульса -напряжения поляризации .
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР №501420, кл. G 11 С 11/00, 1974. 2. Патент США 3623031,
кл. 340-173.2, опублик. 1969 (прототип) .
I I
/ /
X
15 tput.1
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ записи и считывания информации | 1979 |
|
SU836679A1 |
Способ записи и считывания информации в сегнетоэлектрическом элементе памяти | 1984 |
|
SU1180977A1 |
Запоминающая матрица | 1979 |
|
SU855731A1 |
Матрица запоминающего устройства | 1973 |
|
SU485499A1 |
Запоминающее устройство | 1973 |
|
SU488257A1 |
Запоминающее устройство | 1982 |
|
SU1042083A1 |
Матрица для запоминающего устройства | 1975 |
|
SU674099A1 |
Полупостоянное запоминающее устройство с электрической перезаписью информации | 1976 |
|
SU634373A1 |
Запоминающее устройство | 1973 |
|
SU481067A1 |
Сегнетоэлектрический накопитель информации | 1982 |
|
SU1024986A1 |
Счит „
cvum, 0
П/A
Авторы
Даты
1980-11-15—Публикация
1978-12-18—Подача