Способ записи и считывания информации в сегнетопьезоэлектрическом односекционном запоминающем элементе Советский патент 1980 года по МПК G11C11/22 

Описание патента на изобретение SU780040A1

Способ записи информации в односекционный сегнетопьезоэлектрический запоминающий элемент состоит в том, что при записи 1 в пьеЭопластину 1 к управляющим электродам 2 и 3 через шины 4 и 5 прикладывают импульс напрИ ёнйя поляризации, например /положительной полярнЬсти (см.фиг.2а) достаточной амплитуды и длительности, и пШяфйзуют участок пьезопластины 1 между электродами 2 и 3. Полярность

ййнуийса зависит от питающих напряжений, системы выбранных потенциалоТв и не имеет существенного значения для способа. При записи О произв ТУЯт деполяризацию участка пластины между электродами 2 и 3. Для этйГО к электродам 2,3 прикладывают серКю импульсов, прлярность которых ггрб Т в 5Положйа полярности напряжения при поляризации (записи 1), но равных ему по амплитуде (см.фиг.2б). Длительность импульсов напряжения деполяризации выбирают на два

ПЪ сдКз мё нбшё длRTeль нос ти импульса напряжения поляризации.При

Приложении серии импульсов в пределах от 10 до 50 для пьеэокерамики типа ЦТС-19, остаточная полярй31ация, заданная при записи 1, значительно уменьшается, более чей в 20 раз.

Способ считывания информации из бДйосёкционного сетнетопьезрэлектри Гё ёКОгб запоминающего элемента состоит в том, что к электродам 2,3 запоминающего элемента прикладывают импульсы напряжения (см.фиг.За) и хранимую информацию (1 или О) определяют по пьезотоку, протекающему через элемент. Амплитуда и длиТёИь;нретьимпульсов считывания недостаточна как для полной, так и для частичной поляризации или деполяризации материала элемента. На фиг. 35 показан ток через элемент , при выбранной форме напряжения считывания, при считывании 1 и О. При считывании 1 после тока заряда, SjfieWeHTa до напряжения Uo через элемент протекает ток 3ц Mj , обусловленный пьезрпреобразованиями в поляризованном элементе. При считывании О после заряда элементна „,, до напряжения Ug, ток, обусловленный пьезопреобразованиями, в эле менте

We TipOTeKaeT, так как участок материала между электродами 2 и .3 деполяризован, и элемент не обладает пьезосвойетвами ; и при приложении наПрягжения в элеме:нте пьеэопрёобразОвания отсутствуют. Выбором длительности фронта обеспечивается то, что токи 3{, и Лцч разйесены во времени из-за запаздаайаййя электромехаHHfTeeTifHX процессов во времени по

.отношению к моменту приложения напряжения О.. .Ампер-секундная площгщь информационного тока в переходном режиме зависит от свойств материала, коэффициента электромеханической связи и для лучших материалов может составлять до 70% от амперсекундной пло1дади тока DO, Отношение величин токов 3 и ЗцНр находится, в прямом соотношении от отношения величин остаточной поляризации в поляризованном и деполяризованном состояниях.

Описанный способ записи и считывания информации позволяет перейти к элементам двухполюсного типа, сохранив у них преимущества, которыми обладают элементы трех- и.четырехполюсного типа (скоростное неразрушающее считывание, сохранение информации при полностью отключенном пиQ тании, неограниченное количество циклов записи и считывания, широкий ди-. апазон рабочих температур и т.п.).

Формула изобретения

1.Способ записи и считывания информации в сегнетопъеэоэлектрическОМ бдносёкционном запоминающем элементе, заключающийся в подаче на

управляющие электроды элемента в режиме записи единицы импульса напряжения поляризации, отличающ и и с Я тем, что, с целью повышения быстродействия способа, при записи нуля деполяризуют сегнетопьезоэлектрическую пластину элемента,при считывании информации на управляющие электроды подают импульс напряжения, не превышающий по амплитуде величину импульса напряжения поляризации, а записанную информацию определяют по наличию пьезотока на выходе элемента.

2.Способ по п.1, о т л и ч а ющи и с я тем, что деполяризацию

сегнетопьезоэлектрической пластины элемента осуществляют подачей серии импульсов напряжения деполяризации с полярностью, противоположной полярностйймпульеа напряжения поля изации, амплитудой, равнсрй амплитуде импульса напряжения поляризации, и длительностью на два порядка меньше длительности импульса -напряжения поляризации .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР №501420, кл. G 11 С 11/00, 1974. 2. Патент США 3623031,

кл. 340-173.2, опублик. 1969 (прототип) .

I I

/ /

X

15 tput.1

Похожие патенты SU780040A1

название год авторы номер документа
Способ записи и считывания информации 1979
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Шпак Юрий Иванович
  • Кит Владимир Иванович
SU836679A1
Способ записи и считывания информации в сегнетоэлектрическом элементе памяти 1984
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Фесенко Евгений Григорьевич
  • Данцигер Алла Яковлевна
  • Кит Владимир Иванович
  • Клевцов Александр Николаевич
  • Панич Анатолий Евгеньевич
  • Рухлядев Юрий Николаевич
  • Сапожников Владимир Михайлович
  • Христов Стефан Милчев
  • Шпак Юрий Иванович
SU1180977A1
Запоминающая матрица 1979
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Шпак Юрий Иванович
  • Сидоренко Сергей Иванович
  • Мурзаханов Владимир Николаевич
  • Гермаш Людмила Павловна
  • Кудренко Елена Ивановна
  • Кит Владимир Иванович
  • Верба Александр Андреевич
SU855731A1
Матрица запоминающего устройства 1973
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
SU485499A1
Запоминающее устройство 1973
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
SU488257A1
Запоминающее устройство 1982
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Христов Стефан Милчев
  • Шпак Юрий Иванович
  • Верба Александр Андреевич
SU1042083A1
Матрица для запоминающего устройства 1975
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Шпак Юрий Иванович
  • Божко Анатолий Афанасьевич
  • Твердов Лев Львович
  • Фаттахов Дамир Кавиевич
SU674099A1
Полупостоянное запоминающее устройство с электрической перезаписью информации 1976
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Харламов Александр Дмитриевич
  • Горун Валентин Леонидович
  • Кирсанов Геннадий Георгиевич
  • Филатова Надежда Васильевна
SU634373A1
Запоминающее устройство 1973
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Харламов Александр Дмитриевич
SU481067A1
Сегнетоэлектрический накопитель информации 1982
  • Самофалов Константин Григорьевич
  • Мартынюк Яков Васильевич
  • Пирогов Юрий Порфирьевич
  • Рухлядев Юрий Николаевич
  • Сапожников Владимир Михайлович
  • Харламов Александр Дмитриевич
  • Шпак Юрий Иванович
SU1024986A1

Иллюстрации к изобретению SU 780 040 A1

Реферат патента 1980 года Способ записи и считывания информации в сегнетопьезоэлектрическом односекционном запоминающем элементе

Формула изобретения SU 780 040 A1

Счит „

cvum, 0

П/A

SU 780 040 A1

Авторы

Самофалов Константин Григорьевич

Мартынюк Яков Васильевич

Шпак Юрий Иванович

Гаврилюк Григорий Иванович

Сапожников Владимир Михайлович

Даты

1980-11-15Публикация

1978-12-18Подача