Способ получения кристаллического кремния Советский патент 1959 года по МПК C01B33/25 

Известно МНОГО способо-в получения чистого кристаллического кремния, Б ТОМ числе и путем восстановительной плавки кварца или чистого кварцевого песка с углеродистым материалом в дуговой электропечи, но они обладают рядом недостатков, в частности пе обеспечивают необходимой ЧИСТОТЫ конечного продукта и требуют высоких температур, порядка 1700°.

Описываемый способ заключается в том, что процесс восстановления ведут при температуре до 1400° под вакуумом.

Предлагаемый способ экономичнее известных, так как процесс проводят при более низкой температуре, в результате чего получают конечный продукт наиболее чистый.

Способ осуществляют следующим образом. Измельченпый карбид кремния смешивают с мелким чистым кварцевым песком или с измельченным кварцем в стехиометрическом соотношении по реакции;

2SiC-f SiO2 3Si + 2CO

После перемешивания шихту брикетируют, загружают в вакуумную электропечь и нагревают до 1400° при разрежении порядка 1 мм рт. СТ. При ЭТОМ получают кристаллический кремний, который можно применять для металлургических целей, или после последующей обработки для специальных электротехнических и других целей. Для получения особо ЧИСТОГО кремния, идущего для изготовления кремниевых полупроводников, необходимо применять особо чистые шихтовые материалы.

Предмет изобретения

Способ получения кристаллического кремния путем восстановления кварца или чистого кварцевого песка карбидом кремния при нагреве брикетированной шихты, отличающийся тем, что процесс восстановления ведут при температуре до 1400° под вакуумом.