Каскад со схемой стробирования Советский патент 1985 года по МПК H03K5/24 G05B1/01 

111

Изобретение относится к импульс ной технике и может быть использовано в компараторах напряжения.

Целью изобретения является рас-, ширение функциональных возможностей путем осуществления стробирования с принудительным фиксированием заданного выходного уровня напряжения и искл,ючения влияния. стробирования на характеристики схемы каскада.

На .чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого каскада со схемой стробирования.

Каскад со схемой стробирования состоит из дифференциального усилителя, построенного на первом 1 и втором 2 транзисторах, в коллектор ые цепи которых подключены соответственно третий 3 и четвертый 4 транзисторы, а в эмиттеры цепи транзисторов, 1 и 2 - источник 5 тока, коллекторы транзисторов 3 и 4 соединены с резисторами 6 и 7 нагрузки, цепи смещения, построенной на первом стабилитроне 8, первом 9, втором 10 и третьем 11 диодах, первом резисторе 12, а также втором 13 и третьем 14 резисторах, пятом 15 и шестом 16 транзисторах и четвертом -17 резисторе, переключающихся седьмого 18 и восьмого 19 транзисторов и входного второго 20 стабилитрона.

Устройство работает следуюпщм образом..

При подаче на стабилитрон 20 схемы стробирования напряжения логического нуля ТТЛ схемы (или просто заземления стабилитрона 20) на базах транзисторов 18 и 19 действует напряжение, равное падению напряжения на стабилитроне 20 и напряжению ло.гического нуля ТТЛ схемы (0,150,3 В). В змиттерах транзисторов 3 и 4 дифференциального усилителя устанавливается напряжение, равное падению напряжения на стабилитроне 8 и напряжению делителя (резисторы

13 и 14), .г: . Так как эмиттеры Кх,4

91S, 2

транзисторов 18 и 19 соединены с эмиттерами транзисторов 3 и 4, то действие примерно равных потенциалов на эмиттере и базе транзисторов 18 и 19 обеспечивает их.закрьюание;

Этому состоянию соответствует работа устройства без стробирования. При стробировании, т.е. подаче на входной стабилитрон 20 сигнала логической

единицы ТТЛ схемы, стабилитрон 20 закрывается. В этом случае на базы транзисторов 18 и 19 действуетнапряжение, равное напряжению стабилитрона 8 и диодов 10 и 11. Таким рбразом, напряжение на базах транзисторов 18 и 19 будет превышать напряжение на базах транзисторов 3 и 4

и 411 R14

величину и,..- ----5- . При обес

на Ri4

печении данного различия напряжений ,1 В, что достигается выбором сопротивлений резистивного делителя

1 происходит включение транзрсторов 18 и 19 и закрьюание транзисторов 3 и 4. Поскольку коллекторы переключающихся транзисторов 18 и 19 соединены вместе и подключены к одному из нагрузочн1 1х резисторов, то независимо, от входных сигналов, действующих на входе компаратора, на вькоде устанавливается заданное фиксированное значение выходного напряжения логической единицы или нуля в зависимости от требований. Это осуществляется подключением коллекторов транзисторов 18 и 19 и нагрузочного резистора 6 или 7.

Исключение влияния стробирования

на параметры устройства заключается в устранений зависимости времени включения от действующих на входе

сигналов, т.е. отсутствие режима насыщения при переключении в предложенном устройстве позволяет увеличить быстродействие и точность компараторов напряжения.

. КАСКАД СО СХЕМОЙ СТРОБИРОВАНИЯ, содержащий дифференциальный каскадный усилитель, состоящий из первого rt второго транзисторов,базы которых являются входами каскада, эмиттеры через источник тока соединены с шиной отрицательного потенциала, а коллекторы - соотве-Лтвенно с эмиттерами третьего и -четвертого транзисторов, базы которых объединены, а коллекторы через первый и второй резисторы нагрузки подключены к шине положительного потенциала, пятьй, шестой, седьмой и восьмой транзисторы, первый и второй стабилитроны, первый и второй диоды, первый и второй- резисторы и вход стробирования, отличающийс я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем осуществления стробирования с при-нудительным фиксированием заданного выходного уровня напряжения и исключения влияния стробирования на характеристики схемы каскада в него введены третий диод, третий и четвертый резисторы, причем первый резистор соединен одним выводом с шиной положительного потенциала, а другим - с базой шестого транзистора, анодом третьего диода и первым выводом второго резистора, второй вывод которого соединен с базой пятого транзистора и через третий резистор с катодом третьего и анодом второго диодов, катод второго диода соединен с анодом первого диоV К да, катод которого соединен с катодом первого стабилитрона, анод которого соединен с общей шиной, коллекторы пятого и шестого транзисторов соединены с шиной положительного потен-циада, эмиттер шестого транзистора через четвертый резистор соединен с базами седьмого и :с со со восьмого транзисторов и катодом второго стабилитрона, анод которого подключен к шине стробирования, коллекторы седьмого и восьмого транзисторов подключены к коллектору третьего транзистора, а эмиттеры соответственно к эмиттерам четвертого и третьего транзисторов.