Стекло и способ его получения Советский патент 1986 года по МПК C03C3/14 

Изобретение относится к материа- поведению электронного приборостроения и может быть использовано при получении гомогенных стекловидных материалов для изготовления конденсаторов и компонентов межслойной изоляции больших гибридных схем.

В радиоэлектронике для изготовления стеклокерамических конденсаторов и компонентов межслойной изо- больших гибридных схем применяются легкоплавкие боратные и боро силикатные стекла,-содержащие оксид свинца, меди, щелочноземельных элементов, как матричные материалы.

Увеличение значений диэлектрической проницаемости в конденсаторных материалах, а также получение высокой проводимости резисторов добиваются снижением содержания стекла (с низкой ) в составе материала. Повышение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь достигается введением в стекло полидисперсных оксидных фаз 30- 70%, что приводит к ухудшению технологических характеристик, удорожанию технологического процесса и нестабильности свойств указанных композиционных материалов в условиях

эксплуатации. I

Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости.

Конкретные составы стекол даны в табл . 1; основные свойства стекол - в табл. 2.

Таблица 1

Таблица 2

Показатели

т т

ip, ь

d, г/см

607070

480480480

3,09 3,113,12

дга Hj,6 , % 5,24,05,0

20 h roo6,26,26,8

Из табл. 2 следует что предлагаемые стекла обладают повышенной диэлектрической проницаемостью ( 60-70).

Пример. Синтез проводят в алундовых или корундовых тиглях емкостью до 0,5 л. Шихту засыпают

в тигель, прогретый до 500-550°С, при этой температуре тигель помещается в печь и температура в рабочей полости печи поднимается до 600-650°С, при этой температуре де5

0

3

0

лается выдержка 30 мин. При 500 С в рабочую полость печи подают аргон, т.е. для предотвращения перехода V- V в твердой фазе реакционного процесса стеклования, до появления расплава. После 30 мин выдержки температура поднимается от 600 - 650 до 1150°С и в печь подается кислород. Через 20 мин после образования расплава в тигель с расплавом опускают алундовую трубку с прорезями и через нее в течение 30 мин в расплав уже с целью барботажа подают кислород при расходе 15 - 20 л/ч.

Выработку производят в устройстве типа центрифуги на вращающееся

1Э

роторное тело с перфорированной насадкой (скорость вращения роторного тела 5000 об/мин). В рабочее пространство центрифуги подают кислород при расходе 30 л/ч. В результате выработки на поддоне центрифуги образуется гранулят, легко удаляе3 .1203041 4

мый из поддона. Диаметр шариков ких параметров материала в процессе

стекла 1-2 мм.эксплуатации.

Полученный гомогенный стеклообраь

Полученное таким способом стеклоный материал для конденсаторов диперерабатывают различными приемами5 электрической проницаемостью

в изделия конфигурации и 60-70, обеспечивает стабильную

размеров.воспроизводимость свойств, т.е.

Предлагаемое стекло при примене-решается важнейшая для микроэлектронии обеспечивает повышение стабиль-ники технологическая задача конности свойств (в процессе синтеза10 структивной проработки узлов и десостав стабилен) и,физико-химичес-талей современйых приборов.

1. Стекло, включающее , ZnO, ВаО, , отличающее- с я тем, что, с целью повьшения диэлектрической проницаемости,.оно содержит указанные компоненты при следующем соотношении, мае.%: 51,20-52,50 ZnO . . 9,96-10,20 ВаО 20,12-20,76 BjOj 16,54-18,40 2. Способ полз чения стекла в системе Vz.0s - - ZnO - ВаО путем варки его при 1100-1200°С в среде кислорода-и выработки, отличающийся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, осуществляют барботирование расплава стекла кислородом, а выработку ведут отливкой с центрифугированием в токе кислорода.