Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната Советский патент 1992 года по МПК C30B15/00 C30B29/28 

. 1

Изобретение относится к технологии получения изолирующих подложечных материалов и может быть использовано в электронной, цветной и химической промьшШенностях.

Целью изобретения является увеличение выхода годных монокристаллов путем уменьшения длины конической части кристалла.

Пример 1,В тигель загружают шихту - смесь окислов галлия и гадолиния в соотношении 53,92 мас.% CdjOj + 46,08 мае. % , . Шхту плавят.высокочастотным нагревом иридиевого тигля. Азот подают к тепловому уэлу перед началом нагрева тнг ля, кислород (2 об.%) добавляют в момент появления расплава. Начиная с момента затравливания, содержание кислорода в процессе роста уменьшают, до 0,9 об. %..

Затравку вращают со скоростью 25,5 об/мин, и когда она касается расплава, происходит затравливание. После чего начинают перемещать затравку вверх со скоростью 8,0 мм/ При nofTBJiemut из-под кристалла вынужденных конвекционных потоков на диаметре 74 мм, свидетельствующих о переходе формы фронта кристаллизации от островыпуклого к плавно20394

выпуклому,, скорость вращения начинают уменьшать в соответствии с формулой W 25, 5-0, от ,.. 25,5 об/мин до 23,5 об/мин. Конус,

5 выращивается длиной 35 мм. Далее рост кристалла ведут при постоянной скорости вращения 23,5 об/мин. Кристалл вырапшвают до веса И кг. Таким образом, коэффициент извлечения

10 шихты составлят 85%. Поскапьку длина конусной части уменьшается при таких режимах роста с 60 до 35 , увеличивается вес цилиндрической части и, соответственно, увеличи- 15. вается процент выхода годных крис таллов до 36%.

Было проведенй 8 процессов, полученные данные приведены в .таЬлице. Примеры подтверждают эффектив20 ность предлагаемого способа. В примерах 4-6 начальная скорость вращения менее указанной в формуле - уменьшается процент выхода годных, в примере 7-8 скорость вра25 щения отличается от указанной в формуле - годную часть кристалла не получают.

Как видно из данных таблицы, использование предлагаемого способа

30 поз врляет увеличить выход годных монокристаллов до 36%.

Процент выхода годных, %

Составитель Н.Пономарева .Редактор Н.Салтыкова Техред Л.Кравчук Корректор Л.Пилипенко

Заказ 790 . ТиражПодписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент г. Ужгород, ул, Проект ая, 4

Продолжение таблицы