Способ очистки поверхности стекла Советский патент 1986 года по МПК C03C23/00 

Изобретение откосится к технологии подготовки поверхности стеклянных пластин и подложек для процессов вакуумного нанесения пленок и может быть использовано в производстве приборов электронной техники, таких как вакуумные люминесцентные индикаторы, жидкогсристаплические индикаторы, фотошаблоны, ипи других изделий, например зеркал

Целью изобретения является повыЕие ние годных изделий«

Исходная поверхность стекла перед очисткой карактеризуется Нсшичием на ней различного рода частиц с размерами 0,1-1,0 мкм, которые по химической природе являются, главн-ым образом, продуктами взаимодействия компонент сте спянной матрицы с адсорбированными из атмосферы газами типа COgJ НjO и дрв При отмьшке в водном растворе с ПАВ частицы и загрязняющие пленки с поверхности удаляются и выявляется поверхность стекла с рыхльт рельефом разрушенного слоя. Дальнейшая обработка пластин в актив ной травя1л,ей среде приводит к растворению разрушенного слоя и образованию бесструктурной поверхности стеклянной матри;цы.

Кроме того, показателем качества очистки является элементный состав поверхностр.

При обработгсе в растворах силикатов щелочных ;у ета-ллов за счет равновесных условий протекания: -реакц ли растворения.н близости химической природы растворителя и матрицы на стекле осаждается тонкий с:юй двуоки сн кремния3 к оторьзй пасс1-1вирует по- зерхностЬр снижая ее адсорбционную активноетье.

По этой причине наряду со значительно меньшей скоростью растворения в щелочко -силикатном растворе н происходят растравливания г;ефектов поверхности стекла

7.акш4 обраяомр щелочно-силикатна обработка позволяет избежать сепек- тивного травления поверхностных дефектов попдожек и5 следовательно3

7о()Ь2

;1,1 ;11анить ее микроморфологию, эффек- тинно очищает поверхность от загрязняющих элементов и одновременно пассивирует ее и, наконец, полностью удаляет разруи.енный слой и продукты Т идролиза стекла.

O

О

Пример 1 , По;щожки изготовлялись из плоского оконного стекла производства Лисичанского завода следующего состава,%: SiO 72; Al,0j 2; .., 0,2; CaO 6,6; 4; 13,7; КО 1,5, Очистку осуществляли на полуавтомате химической очистки и сушки стеклянных пластин. Операцию отмьюки в водном растворе ПАВ (моющее средство Прогресс) с концентрацией О ,,5% проводят при 80 С. Супясу подложек проводят центрифугированием при 180°С 5 мин.

Критерием качества очистки служит процент выхода годных подложек В, определяемый как В (В, В) 100%, г д.е В, - выход годных плат непосредственно после очистки, оцениваемый оптическигм способом в косом освещении по наличию на поверхности пятен или растравленных дефектов;, В выход годных плат по адгезии пленок, напыляемых в вакууме на установке типа УВН73-П2.

Изобретение поясняется на конкретных примерах, которые приведены н таблице.

Таким образом, предложенньш способ позволяет увеличить процент выхода годньж изделий за счет уменьшения брака по качеству адгезии ва- хЗ умпонапыленных пленок V-A , а также параметрического брака, связанного с качеством металлизации; удешевить процесс очистки стеклянных подложек за счет использования менее дорогостоящих и дефицитных реактивов; существенно уменьшить энергоемкость процесса га счет исключения операции термообработки подложек .

Эк О1 омический эффект составит 2 5 8 fuHH , руб в год ,

Согласно прототипу Раствор жидкого стекла в воде:

калиевого, рН 14

натриевого, рН 14

калиевого, рН 12

натриевого, рН 2

калиевого, рН 10

натриевого, рН 10

Смешанный раствор калиевого и натриевого 1(идкого стекла в воде с соотношением компонентов :

же (калиевое) ЖС (натриевое): Н jO 1 :1 : I , рН 14

же (калиевое): ЖС (натриевое):

Н 0 1 :1 : 2, рН 1 2

же (калиевое): ЖС (натриевое):

- 1 :1 :2,5, рН Ц)

Редактор Н.Горват

Составитель О.Самохина Техред И.Верес

Заказ 2259/25Тираж 457Подписное

ВНИИ11И Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

0,6 0,87

0,83 0,92 0,83 0,92 0,80 0,87

0,94 0,98 0,94 0,98 0,91 0,95

52

78 90 78 90 73 83

80 0,90 0,98 90

80 0,91 0,98 90

80 0,85 0,95 81

Корректор Г.Решетник