Стекло Советский патент 1986 года по МПК C03C3/64 

I1235831

Изобретение относится к технологии силикатов, к производству легкоплавкого бариевого алюмоборосиликатного стекла, предназначенного для испольхоси во

зования в качестве стеклосвяЗки тол- 5 йые изделия технического назначения

стопленочных боридных резисторов.

Цель изобретения - снижение TeNme- ратуры размягчения и температурного коэффициента сопротивления.

Свойства

Кристаллизационнаяспособность, С

Температура размягчения,°С 520±10 520±10 520+10 520+10 550-570

58±1

58t.1 58+1 58±1 58±1

Предлагаемое стекло при 1350 С хорошо варится и осветляется,не агрессивно по отношению к огнеупору и позволяет изготавливать из него различметодами прессования и отливки.

Конкретные примеры предлагаемьтх стекол приведены в табл. 1; их свойства - в табл. 2.

Таблица 1

Таблица2

Показатели для состава

Не кристаллиэ тотся

Свойства

Показатели для 3 -14 I

nziiiZcz;

Удельное

электрическоесопротивление, Ом. м,при

200 С

Химическая.устойчивость(потери массы в воде), %

10

(4

10

I

3,62

10

н

10

14

10

ы

10

1

10

13

10

13

Ю -5.1 о 10 -1.0

4,13 4,35 2,47 1,65-4,34

Электрофизические параметры боридных резисторов

,

2

10

10

10

10

1 410 -10

--6

-6

-б

.-б

+86-10 +89-10 +97.10 +85-10 -(300-370). 10

«-6

-б

„-6

л 6

+80.10+8440 +82 10 +80-10 -(200-250) .- 10

Коэффициент влагостойкости(dR/R),,% 0,45 0,17 0,39

12358314

Продолжение

гг,

Показатели для состава 3 -14 I Известного

iZcz;

10

ы

10

13

Ю -5.1 о 10 -1.0

10

10

1 410 -10

-б

.-б

0 +85-10 -(300-370). 10

«-6

л 6

0

0.27 0,08-1,0

51235831ft

Из приведенньпс в табл. 1 и 2 дан-,и его температурного коэффициента

ных следует, что предлагаемое стеклоТКС. Величина ТКС для предлагаемого

обладает пониженной температурой раз-стекла не превьшает +100-10 гpaд

мягчения по сравнению с известным.в то время как для известного она

Присутствие в составе стеклосвязки составляет -(300-370)

улучшает совместимость с бориднойв области температур - 60 резистивной фазой, что способствует+20° С +20 С и - (200 снижению удельного электрического соп-250) Ю град в области 20 ротивления резистивных композиций- 125 С.