Контактное устройство преимущественно для контроля периферийных областей микросхем Советский патент 1986 года по МПК H05K1/18 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для подключения и коммутации отдельных крио- электронных микросхем в процессе их статических, динамических, температурных и других измерений на стадии отбраковки ив процессе эксплуатации.

Цель изобретения - новышение производительности работы устройства при практических измерениях криоэлектронных микросхем.

На фиг. 1 показано контактное устройство, поперечный разрез; на фиг. 2 - расположение и подсоединение полного комплекта микросхем для контактного устройства (часть его) в изометрии; на фиг. 3, 4, 5 - контактное устройство, поясняющее расположение и подсоединение полного комплекта микросхем для измерения в жидком гелии за один термоцикл; на фиг. 6 - подсоединение подводящих проводников к контактным элементам.

Контактное устройство состоит из двух диэлектрических оснований 1 и 2 с верхними 3 и нижними 4 отверстиями, набора контактных элементов 5 и подводящих проводни-

ков 6.

Набор П- и Z-образных контактных элементов 5 располагается между диэлектрическими основаниями 1 и 2 таким образом, что их средние части защемлены перемычками 7 между отверстиями 3 и 4 оснований, а концы каждого контактного элемента свободно проходят через отверстия 3 и 4 и могут свободно перемещаться в них по направлению, перпендикулярному к плоскости оснований.

Проводники 6 подсоединяются к тонко- пленочным микрополосковым металлическим линиям, которые предварительно наносятся на одно из диэлектрических оснований, в данном случае верхнее 1. Линии наносятся таким образом, что захватывают и перемычку 7 между отверстиями 3. Ноэтому при сборке устройства гальваническая связь получается от контактного элемента 5 через металлизируемую перемычку 7, микро полосковый тонкопленочный участок к про

/

ч. у K/ClJli Vyv J

TV

5

0

Q

5

воднику 6. Все проводники проходят от контактного элемента через вырез в центре верхнего диэлектрического основания 1.

Образцы исследуемых микросхем 8-12 периферийной областью подводятся к устройству снизу (фиг. 3) и закрепляются таким образом, что их микроконтактные площадки соприкасаются с свободно перемещаемыми концами соответствующих контактных элементов 5. Микросхемы, расположенные на подложках 13-16, периферийными областями накладываются по краям устройства сверху, как показано на фиг. 4.

Из фиг. 3-5 видно, что при работе с устройством его П-образные контактные элементы коммутируют и соответственно подводят токи одновременно к пяти проверяемым микросхемам 8-12, которые размещены снизу устройства, и микросхемам 13-16, расположенным сверху устройства. Металлическая линия подсоединена к проводникам 6.

Соответствующий набор Z-образных контактных элементов коммутирует электрические цепи микросхем, расположенных друг над другом по вертикали со всех четырех сторон устройства. Таким образом, общее число микросхем, проверяемых за один измерительный цикл (одно погружение в жидкий гелий), составляет девять штук.

Это повыщает производительность измерений по сравнению с известными контактными устройствами.

Формула изобретения Контактное устройство преимущественно для контроля периферийных областей микросхем, содержащее диэлектрические основания с размещенными между ними контактными элементами и токоотводы отличающееся тем, что, с целью повышения производительности в работе, контактные элементы выполнены в виде П-образных и Z-образных скоб, средняя часть каждой из которых жестко закреплена между диэлектрическими основаниями, свободные концы их размещены в отверстиях, выполненных в диэлектрических основаниях, а токоотводы укреплены в средней части контактных элементов.

у K/ClJli

TV

75

N

10

фиг.З

16

(ригА

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для подключения и коммутации отдельных криоэлектронных микросхем в процессе, например, их статических измерений. Цель изобретения - повышение производительности работы устройства. Устройство состоит из диэлектрических оснований 1 и 2 с отверстиями 3 и 4, набором контактных элементов 5 и проводящих проводников 6. Контактные элементы 5 выполнены П- и Z-образной формы. Их средняя часть жестко закреплена между диэлектрическими основаниями 1 и 2, а концы размещены в отверстиях 3 и 4. 6 ил. (О ГС сд оо 4 СО фиг. 2

Редактор Н. Слободяник Заказ 4427/59

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

фиг. Б

Составитель В. Максячкин

Техред И. ВересКорректор В. Синицкая

Тираж 765Подписное