Способ гомогенизации твердых растворов полупроводниковых интерметаллических соединений Советский патент 1960 года по МПК C30B33/02 

Существующий в настоящее время способ гомогенизации твердых растворов после закалки проводится как диффузионный отжиг При медленном повыщении температуры сначала до температуры плавления легкоплавкого компонента и в дальнейшем до ее значений, соответствующих значениям, находящимся ниже линии солидуса на ди-агр-амме состояний сплава. Для некоторых твердых растворов- такая технология закалки и отжига оказывается непригодной, так как гомогенизации не удается провести (например, для системы InSb-AlSb); даже при отжиге, проводимом в течение нескольких тысяч часов.

Предлагаемый способ гомогенизации твердых растворов проводится в условиях высоких скоростей охлаждения при закалке, что обеспечивает получение мельчайших размеров кристаллов (порядка 30 мк) и способствует быстрому выравниванию- концентрации за счет диффузии во время отжига, а процесс гомогенизации ведут при температуре выше температуры плавления легкоплавкого и ниже температуры тугоплавкого компонентов твердого раствора.

Предмет изобретения

Способ гомогенизации твердых растворов полупроводниковых интерметаллических соединений, отличающийся тем, что, с целью лолу.чения; однородных твердых растворов, процесс гомогенизации прово-дят при температуре выще температуры плавления легкоплавкого и ниже температуры тугоплавкого компонентов, образующих, твердый, раствор..