Фритта для эмалевого покрытия по стали Советский патент 1987 года по МПК C03C8/02 

Температура начала кристаллизации,, с750 750 770 800

Температура обжига покрытия,°С 750 750 780 800

Температурный коэффициент линейного расширения (20 - ) ot- 10 град- .112,0 114,0 100,0 110,0

Удельное объемное электрическое сопротивление при . Ом-см 4,010

Диэлектрическая проницаемость,

Формула изобретения

Фритта для эмалевого покрытия по стали, включающая SiO, ,

ВаО, MgO, Сг20з, отличающа я

с я тем, что, с целью снижения кристаллизационной способности, температуры обжига, повышения адгезии и степени чистоты поверхности, она дополнительно содержит Mnif, 165 и CogO} при

Составитель С.Белобокова Редактор К.Волощук Техред И,Поповкч Корректор И.Эрдейи

Заказ 1861/22 Тираж 428Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4.

..Продолжение табл.2

2,0-10 4,0-10 8,0-10 °

следующем соотношении компонентов, мае.%:

Si02 А120з

gOj

Вас MgO

VjOs

19,55-20,5 4-4,45 6,6-12,5 50-62,05 1,5-8,3 1,4-2,5 0,45-3,05 0,84-1,5 0,85-1,8.

Изобретение относится к области технологии силикатов и предназначено для изоляционного покрытия стальных подложек, используемых при изготовлении микросборок для электронных приборов. С целью снижения кристаллизационной способности, температуры обжига, повышения адгезии и степени чистоты поверхности фритта для эмалевого покрытия по стали содержит следующие компоненты, мас.%: 8102 19,55-20,50; ,, 4,00-4,45; Q, 1,50-8,30; BaO 50,00-62,05; .MgO 6,60-12,50, СггОз 1,40-2,50; 0,45-3,05; V20f 0,84-1,50j CojO 0,85-1,80. Температура начала кристаллизации 750-770 C, температура обжига покрытия 750-780 с, адгезия - более 50 кг/см, поверхность покрытия имеет 8-9-й класс чистоты. 2 табл. se (Л оо ел