Способ устранения дефектов фотошаблонов Советский патент 1988 года по МПК G03F7/26 G03C11/04 

со

05

ел

о со о:

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для устранения прозрачных дефектов фотошаблонов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Целью изобретения является повышение качества восстановленных фотошаблонов о

Сущность предлагаемого изобретения заключается в том, что согласно способу лазерного фотохимического ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов, нключаюп;ему фокусировку лазерного излучения в дефектное место фотошаблона со стороны его маскирующего слоя в среде фоторазлагаюшегося газа с последуюпщм осаждение,м продуктов фоторазложения до получении оптически плотного слоя, добавляются операции дополнительного фокусирования лазерного излучения на дефектное место со стороны основания фотошаблона и осаждения продуктов фоторазложения до уменьп1ения мощности лазерного излучения, проходящей через paciT пщй слой, на 70-85%.

Проведение процесса осаждени продуктов реакции фоторазложения в две стадии повышает качество ремонта фотошаблонов за счет увеличения адгезии осаждаемых слоев о При этом после проведения первого этапа осаждения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения меньше, чем на 70%, и второго этапа осаждения со сторони маскирующего слоя фотошаблона ,: о получения оптически плотного слоя происходят частичное скалывание и стирание осажденного слоя во время технохимической обработки, приводящие к уменьшению интегральной оптической плотности (ИОП) дефектного места, которая характеризует адгезию осаждаемого слоя и является показателем качества ремонта о При проведении первого этапа осаждения до уменьшения мощности лазерного излучения более чем на 85% необходимс затратить времени на порядок больше без изменения качества ремонта.

Пример 1 о Испытание проводили с использованием оптико-механической системы установки ЭМ-551Ао В газовую камеру высотой 4 мм из нержавеющей стали с двумя прозрачными для лазерного излучения окнами вместо одного окна поместили дефектный фотошаблон хромовым маскирующим слоем внутрь камеры. После вакуумирова- ния камеру заполнили парами пентакар- бонила железа FeCCO),- до давления 100 Па и аргоном до давления Ю Па. Излучение импульсного азотного лазера ( Д 337 нм) мощностью 0,15 мВт

фокусировали в дефектное место через основание фотошаблона и осаждали продукты фоторазложения до уменьшения мощности лазерного излучения на Затем сфокусировали лазерное

излучение в дефектное место со стороны маскируюпего слоя фотошаблона и проводили осаждение до получения оптически плотного слоя -Мощность лазерного излучения контролировали

с помощью измерителя мощности ИМО-2Но Показателем качества ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов является ИОП дефектного места после технохи- мическор обработки, которую определяли фотометрировапием на микроденситометре МД-100 и которая равна 98%о Продолжительность процесса 15 миНо

Пример 2, Провели ремонт прозрачных дефектов фотои1аблона со

стороны маскирующего слоя по известному способу при параметрах процесса, огшсанных в примере 1 Интегральная оптическая плотность дефект- ного места после технохимической

обработки DaBHa 50%. Продолжительность процесса 15 мин о

В таблице приведены характеристи- ки ремонта прозр;1чных дефектов фото- гааблонов в зависимости от условий

проредения процесса.

Результаты сравнительных испыта- НИИ. представленные в таблице, зывают, что улучшение качества ремонта прозрачных дефектов фотошаблонов по предлагаемому способу получается за счет увеличения адгезии осаждаемого слоя и, следовательно, увеличении интегральной оптической

плотности дефектного места после технохимической обработки в 2 раза по сравнению с известным способом.

Формула изобретени я Способ устранения дефектов фотошаблонов , включающий облучение сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя дефектного места фотошаблона, помещенного

в среду фоторазлагающегося газа с осаждением продуктов фоторазложения до получения оптически плотного слоя, отличающийся тем, что, с целью повьшения качества восстановленных фотошаблонов, перед облучением со стороны маскирующего слоя производят дополнительное облучение

сфокусированным лазер1а1м излучением дефектного места со стороны основания фотошаблона и осаждают продукт фоторазложения до тех пор, пока мощность лазерного излучения, проходящего через образующийся маскирующий слой на месте дефекта фотошаблона не уменьшится на 70-85% с,

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов, Облучсчют дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания а Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70- 85%, а со стороны маскирующего слоя - до получения оптически плотного слоя Показателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическая плотность дефектного места после осаждения, определяемая фотометрировани- ем. 1 табл. с | (Л

Предлагаемый

Ремонт дефектного места со стороны основания фотошаблона, а затем со сторо- маскирующего слоя

80 70 65

90

98

Осаждаемый слой имеет хорошую адгезию и после технохимичес- кой обработки не стирается

При технохимической обработке происходит частичное скапывание осаждаемого слоя

При технохимической обработке не происходит скалывания осаждаемых слоев, но ремонт затруднен из-за больших затрат времени 3 ч