Применяемые в радиотехнической промышленности конденсаторы переменной емкости имеют большую начальную емкость. Применение воздушных диэлектриков не позволяет уменьшить габариты конденсаторов без ухудшения их характеристики, а применяемые твердые диэлектрики имеют либо большую диэлектрическую проницаемость, либо пластичны и нестойки к истиранию, либо гигроскопичны и иевлагостойки.
Предложенный конденсатор емкости лишен указанных недостатков вследствие того, что его пластины покрывают пленкой из окиси никеля. Полученная пленка является прочным высокочастотным, влагостойким диэлектриком, позволяющим в 6-8 раз уменьшить габариты конденсаторов.
Оксидная пленка, толшиной 30-50 ми, может быть получена на деталях из никеля, стали, меди, латуни и др.
Температура оксидирования никелевых деталей доходит до 1100° с выдержкой в печи 4 час, для деталей из стали она составляет 850-900°, латунных - 650° при выдержке 6 час.
Оксидная никелевая пленка прочно сцеплена с поверхностью металла. Она имеет твердость по Роквеллу 50-60 R-c диэлектрическую проницаемость s 2,5-3,0 электрическую прочность 20 кв/лш, сопротивление изоляции при 500 в равно 500 мегомам и тангенс угла диэлектрических потерь 0,002-0,004..
Предмет изобретения
Конденсатор переменной емкости с пластинами, покрытыми оксидной пленкой, являющейся твердь м диэлектриком, отличающийся тем, что, с целью повышения емкости и уменьшения габаритов конденсатора, его пластины покрыты пленкой из окиси никеля.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ | 2002 |
|
RU2231939C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕЧАТНЫХ ПЛАТ | 2003 |
|
RU2246558C1 |
Приспособление для устранения микрофонного эффекта в супергетеродинных приемниках | 1933 |
|
SU34635A1 |
Планарный конденсатор | 2016 |
|
RU2645731C1 |
ФЛЮС ДЛЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПАЙКИ | 2004 |
|
RU2263569C1 |
ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ | 2023 |
|
RU2826793C1 |
НИОБИЕВЫЙ ПОРОШОК, СПЕЧЕННЫЙ НИОБИЕВЫЙ МАТЕРИАЛ И КОНДЕНСАТОР, ВЫПОЛНЕННЫЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СПЕЧЕННОГО МАТЕРИАЛА | 2001 |
|
RU2267182C2 |
МУЛЬТИКАНАЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОД | 2020 |
|
RU2751537C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФТОРОПЛАСТОВОГО ПОКРЫТИЯ НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ | 1995 |
|
RU2070444C1 |
СПОСОБ ВОЗБУЖДЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНТЕННЫ И ЕЕ УСТРОЙСТВО | 2004 |
|
RU2264005C1 |
Авторы
Даты
1961-01-01—Публикация
1959-10-05—Подача