СПОСОБ ПАЛЛАДИРОВАНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ Советский патент 1961 года по МПК C25D3/50 C25D7/12 

Изобретение относится к технологии получения невыпрямляющих (омических) контактов на полупроводниковых материалах. Известные способы получения таких контактов требовали последующей термической обработки, что могло привести к изменению свойств самого кристалла.

Описываемый способ палладирования карбида кремния rt-типа позволяет получать певыпрямляющие (омические) контакты к этому полупроводнику без последующей термообработки кристалла, что дает возможность точно контролировать его удельное сопротивление.

Достигается это тем, что контакт с карбидом кремния получают путем нанесения на его поверхность слоя палладия гальваническим путем.

Для получения контакта поверхность пластины или кристалла карбида кремния шлифуют микропорошком карбида бора, затем шромывают в течение 2 мин 48%-ным водным раствором плавиковой кислоты, после чего на очищенную таким образом поверхность наносят слой палладия электролизом из ванны, содержащей 16 г/л кристаллического хлористого палладия, 30 г/л хлористого аммония и аммиак до кислотности раствора, соответствующей рИ 9-10. Электролиз ведут при температуре электролита 20°С, плотности тока 0,25-1 а/дм в течение 3-10 мин с .применением платиновых анодов.

5 Получаемое покрытие прочно сцепляется с основой и пригодно для припаивания к нему металлических проволок. Контакты имеют линейную характеристику, весьма небольшое, измеряемое долями ома, приконтактное электро0 сопротивление и не разрушаются от работы при повышенных температурах.

Описываемый способ палладирования может быть использован в производстве полупроводниковых приборов и при измерениях пара5 метров образцов карбида кремния.

Предмет изобретения

Способ палладирования карбида кремния 0 7.-типа, например, для получения невыпрямляющих контактов к этому полупроводнику из ванны, содержащей:

PdCl2-2H, 16 г/л NHtCi30 г/л

5NH4On до кислотности раствора 9-10 рП,

при комнатной температуре н плотности тока 0,25-1 а/дм в течение 3-10 мин.