со
СП
Изобретение относится к области исследования монокристаллов и может быть ис- ;пальзовано для кристаллографического Ориентирования монокристаллов.
Цель изобретения - ориентирование мо- |нокристаллов фосфида цинка (ZnP) моноклинной сингонии.,
Монокристаллы фосфида цинка, полученные методом направленной кристаллиза ции из расплава, диаметром 1 см и длиной 2 см раскалывают на несколько частей по плоскостям спайности. Каждый из полученных образцов имеет от одной до трех непа- |аллельных плоскостей скола, на каждой из оторых имеются риски. На отколотых час- ях монокристаллов сошлифовывают и от- олировывают две площадки, перпендику- ярные рискам на сколе. Окончательную по- ировку шлифов осуществляют пастой AM ,5/0. Размеры щлифов 3x5 мм. Затем осу- цествляют травление щлифов травителем, одержащим 10 мл 69,8%-ной азотной кис- оты и 50 мл 45% Ной фтористоводородной ислоты (картина травления изображена на эиг. 1) и травителем, содержащим 40 мл 9,8°/о-ной азотной кислоты и 10 мл 45%-ной )тористоводородной кислоты (картина трав- ения изображена на фиг. 2). Травление г оверхностей щлифов осуществляют в течение 1 мин при комнатной температуре. Ориентацию монокристаллов определяют по рис- нам на сколе, задающим направление 001
и по линиям выхода плоскостей скольжения на поверхности шлифа или по большим осям эллипсоидальных ямок травления, задающим направление 010.
При осуществлении пре аемого способа достигается ускорени1 4j. .есса ориентации монокристалла (2. мьн), а также упрощение используемого оборудования (требуется в основном микроскоп и кислоты).
Формула изобретения
Способ ориентирования монокристаллов, включающий изготовление на них плоского шлифа, обработку шлифа селективным травителем и определение направления кристаллографических осей по фигурам на картине травления, отличающийся тем, что, с целью ориентирования монокристаллов фосфида цинка моноклинной сингонии, для изготовления щлифа монокристалл раскалывают по плоскости спайности, шлиф изготавливают в виде полированной площадки перпендикулярно направлению ступеней, образовавшихся на поверхности скола, и обработку щлифа ведут смесью 3-90%-ной азотной кислоты и 97-10%-ной фтористоводородной кислоты, причем ось 001 определяют по направлению ступеней на поверхности скола, а ось 010 - по большим осям ямок эллиптической формы и линиям выхода плоскостей скольжения на картине травления.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ ориентирования кристаллов вольфрамата кадмия | 2022 |
|
RU2797674C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСТРИЯ ЛЕЗВИЯ ИЛИ ИГЛЫ | 2009 |
|
RU2423083C1 |
Способ резки монокристаллических слитков полупроводников на пластины | 1988 |
|
SU1622141A1 |
Селективный травитель для дийодида ртути | 1980 |
|
SU928946A1 |
Травитель для электролитическогоТРАВлЕНия МОНОКРиСТАллОВ РЕНия | 1978 |
|
SU716287A1 |
Травитель для выявления дислокаций в кремнии на плоскости (100) | 1980 |
|
SU947233A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ПРОФИЛОМЕТРИИ | 2015 |
|
RU2600511C1 |
Способ химического травления кристаллов титания - фосфата калия (КТ @ ОРО @ ) | 1991 |
|
SU1801993A1 |
Состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов | 1980 |
|
SU941434A1 |
Способ выявления микродефектов в монокристалическом кремнии | 1975 |
|
SU585564A1 |
Изобретение относится к исследованию монокристаллов и может быть использовано для кристаллографического ориентирования монокристаллов. Целью изобретения является ориентирование монокристаллов фосфида Мир,
Травление полупроводников | |||
Приводный механизм в судовой турбинной установке с зубчатой передачей | 1925 |
|
SU1965A1 |
Ручной прибор для загибания кромок листового металла | 1921 |
|
SU175A1 |
СПОСОБ ОРИЕНТИРОВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ |
Авторы
Даты
1988-07-23—Публикация
1983-01-21—Подача