Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы Советский патент 1988 года по МПК B26F3/00 

фие.1

Изобретение относится к обработке материалов давлением и может быть |использовано в приборостроении при производстве интегральных схем. i Цель изобретений - повышение эффициента использования материала путем обеспечения качества разделения.

На фиг.1 изображено устройство дл разламывания на кристаллы полупроводниковых пластин; на фиг.2 - зона излома пластины.

Устройство для разламывания пластины состоит из станины IP на которо 7становлен эластичный ролик 2, вра- цающийся на оси 3, и стола 4, расположенного консольно с возможностью 1сачения на оси 5 относительно станины 1 и поджатого к эластичному роли- icy 2 острой кромкой свободного конца основания, причем острая кромка расположена под роликом 2 по линии, про 5:одя1дей через центр эластичного роли ta 2 перпендикулярно плоскости осно- нания. Основание стола 4 поджато к :1ластичному ролику 2 при помощи пру- и|мны 6, регулируемой винтом 7, На с;толе 4 установлена проскрайбирован- полупроводниковая пластина 8, за ключенная в вакуумный пакет 9 из эластичного материала.

Устройство работает следующим образом.

Полупроводниковая пластина 8, за- 1 люченная в вакуумный пакет 9 из ластичного материала, устанавливает ija столе 4, качающемся на оси 3, ориентируется в нужном направле- и подводится под эластичный ро- л(ик 2, установленный на станине 1 и вращающийся на оси 3. Винтом 7 соз- ается необходимое для разламьгаания Усилие пружины 6. Затем пластина прокатывается между эластичным роликом 2 и столом 4, За счет эластичности эластичного ролика 2 создается перепад высот И, в проскрайбированной полупроводниковой пластине 8 создается напряжение сдвига вдоль скрайбер- ной линии и проскрайбированная полупроводниковая пластина 8 раскалывается на кристаллы. Так как на проскрай- бированную полупроводниковую пластину 8 после выхода из зоны разламывания не действует снизу сила давления стола 4, то кристаллы полу 4:аются более качественными, не трутся друг о друга и на них не образуются сколы, трещины и не выкрашивается материал. Кроме того, в результате того, что концентрация давления на проскрайбированную полупроводниковую 8 пластину происходит вдоль линии касания эластичным роликом 2 острой кромки стола 4, исключается образование двойников и тройников кристаллов, что исключает дополнительную ломку, т.е. повЪпиается выход годных кристаллов.

Формула изобретения

Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы, содержащее станину, на которой установлен с возможностью вращения ролик, и стол для укладки пластин, отличающееся тем, что, с целью повышения коэффициента использования материала путем обеспечения качества разделения, стрл одним концом шарнир- но закреплен на станине и подпружинен относительно нее, а другой конец стола имеет острую кромку, параллельную оси ролика и расположенную под ним в плоскости, проходящей через ось ролика перпендикулярно плоскости стола, а ролик выполнен из эластичного материала.

cpus.2