(21)4173943/29-33
(22)04.01.87
(46) 23.04.89. Бюл. № 15 (72) Э.И.Мамчиц, И.Г.Бертош, В.В.Самойлов, Л.И.Егоров, З.И.Давыдова, Л.Д.Подласенко и В.Ф.Ларичева
(53)666.638 (088.8)
(56)Авторское свидетельство СССР № 1258825, кл. С 04 В 35/46,1986.
Авторское свидетельство СССР № 810643, кл. С 04 В 35/46, 1981.
(54)ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТО- ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА
(57)Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта материала сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки CaSn03, СеО и Zr02 при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiOj 86,37-88,65,CaZr05 8,5-9,0, MnC03 0,08-0,10, 0,70-0,98, ZnO 0,45-0,70, CaSn03 1,50-2,50, Ce02 0,02-0,15 и Zr02 0,10-0,20. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следующие характеристики: Ј 15500-17000, tg сГ (1,15-2,25) ,Л при 100°С 6,0 - 9,6 ГОм.м, Епр. 7,0-8,4 МВ/м, Тк Ю-20°С, температура спекания материала 1 260-1280°С. 2 табл.
СО
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала | 1986 |
|
SU1458355A1 |
| Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала | 1985 |
|
SU1308598A1 |
| Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала | 1987 |
|
SU1463729A1 |
| ШИХТА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ | 1994 |
|
RU2096385C1 |
| ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 1992 |
|
RU2047584C1 |
| КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 1991 |
|
RU2023706C1 |
| Керамический материал | 1982 |
|
SU1054328A1 |
| Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала | 1984 |
|
SU1271850A1 |
| Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала | 1986 |
|
SU1474149A1 |
| Шихта для изготовления сегнетокерамического материала | 1985 |
|
SU1258825A1 |
Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта материала сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки CASNO3, CEO2 и ZRO2 при следующем соотношении компонентов, мас. %: BATIO3 86,37-88,65, CAZRO3 8-5,9,0, MNCO3 0,08-0,10, NB2O5 0,70-0,98, ZNO 0,45-0,70, CASNO3 1,50-2,50, CEO2 0,02-0,15 и ZRO2 0,10-0,20. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следующие характеристики: ε 15500-17000, TG δ 1,15-2,25X 10-2, ρ V при 100°С 6,0-9,6 ГОм.м, Е пр 7,0-8,4 МВ /м, Тк 10-20°с, температура спекания материала 1260-1280°с. 2 табл.
1
Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.
Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала.
Шихту получают следующим образом.
Предварительно известным в керамической технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С, затем измельчают до удельной поверхности 4000 - 5000 см /г. Измельченные спеки, взятые в заданном соотношении, смешивают с требуемым количеством углекислого марганца и оксидов цинка, ниобия, церия и циркония.
Полученную смесь измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см /г и используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой в керамическом конденсаторостроении технологии.
-Составы шихты приведены в табл.1; характеристики полученных из шихты материалов - в табл.2.
Формула изобретения
Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденЈь 1
сл
Редактор Н.Гунько
Составитель Л.Косяченко Техред М.Дидык ,
Заказ 1838/22
Тираж 589
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Таблица2
Корректор С.Шекмар
Подписное
