Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала Советский патент 1989 года по МПК C04B35/46 H01G4/12 

1 . .

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.

Цель изобретения - повьппение диэлектрической проницаемости.

Шихту п.олучают следующим образом.

Предварительно известным.способом получают Спеки титаната бария, цирко- ната кальция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-1300 С. затем измельчают до удельной поверх- . ности 4000-5000 см /г. Измельченные , спеки, взятые в заданном Соотношении, смешивают с требуемым количеством углекислого марганца и оксидов цинка и ниобия (см. табл. 1).

Полученную смесь измельчают до удельной поверхности 5000-7000 и используют для получения диэлектрика конденсаторов по принятой технологии.

Конкретные примеры составов шихты приведены в табл. 1..,

В табл. 2 приведены характеристики полученных из шихты материалов.

Формула изобретения

Шихта для изготовления сегнето- электрического керамического кондвн- саторного материала, включающая BaTiOj, CaZrOj , МпСОэ , , ZnO и добавку, отличающаяся тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, она содержит в каче|1

сд

сд

СУ1

стве добавки CaSnOj при следующем со- отнойении компонентов, мас.%

.BaTiO 87,12-88,97

CaZrOa7,8-8,6

0,08-0,10 0,70-0,98 0,45-0,70 2,00-2,50

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости шихта для изготовления сегнетоэлектричес- кого керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки СаЗпОз при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiOj-.S, 12- 88,97; CaZrOj 7,8-8,6; МпСОэ.0,08- 0,10; О,70,-О,98; ZnO 0,45- 0,70; CaSnO,, 2,00-2,50. Полученные по обычной керамической технологии составы материала из предлагаемой шихты имеют следуюпше характеристики: Е 15000-17000; tg сГ(1,25-2,25) f при (5,0-9,1 ГОм-м-.Е пр 5,0- ,-6,4 МВ/м;Т 15-25 0; Тспек материала 1260-1 . 2 табл. (Л

СоставСодержание компонентов, мас,%

ВаТЮз I CaZrOa MnCOjNb O 5ZnO 1 CaSnO

187,128,60,10,98. 0,70 2,5

288,04 .8,2 0,090,840,58 2,25

388,977,80,080,700,45 2,0

Таблица2

. .

Матери- . ГОм мЕпр ,Т, c /IC/C ПОО Т,,, С

ал изприМВ/мв интервашихты.ЮО Сле от мисаста-„ус 40 до

а плюс 20 С

- ---- ----i ----- -вв. .v«..... ....««..«.„

1170004200 1,25tO,25 5515891260

215400t600 2,15±0,35 9,1 520891280

315000t600 2,25±0,25 7,8625891300

Известный 10500- 0,759-105,910-25901320 140001370

Составитель Л.Касяченко Редактор А.Огар Техред Л.ДидыкКорректор М.Пожо ,

Заказ 322/27 Тираж 589Подписное

ВИНИЛИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Таблица 1