Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала Советский патент 1987 года по МПК C04B35/468 H01G4/12 

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к Составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.

Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости сегнето- керамичеСКОРО материала.

Шихту получают следующим образом.

Предварительно известным в керамическом производстве способом при температуре синтеза 1220-1300 С получают спеки BaTiO и CaZrOj которые затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см2/г.

Измельченные спеки BaTiO, CaZrO и SrCo

э

Nb-,,0,

ZrO и ZrOj взятые в заданном соотношении, смешивают любым из известных способов, например, в вибромельнице и измельчают до удельной поверхности 5000-7000 Полученную таким образом шихту сегнетокерамического материала используют цдя получения диэлектрика конденсаторов по принятой пленочной технологии путем разлива керамического тликера. Полученные из керамической пленки заготовки конденсаторов обжигают при 1280-1360 Ср а затем выполняют сборочные операции известным способом.

Составы предлагаемой шихты приведены в табл. 1.

Свойства сегнетокерамического материала для низкочастотных конденсаторов из предлагаемой шихты приведен в табл. 2,

14000

13000

11000

5900-7800

ВНИИПИ Заказ Г/71/20 Тираж 588 Подписное Произв-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Формула изобретения

Шихта сегнетокерамического конденсаторного материала, включающая BaXiO,, CaZrOj, SrCO,, ZrO, и- добавку, отличающаяся тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости, она содержит в качестве добавки ZnO при следующем соотношении .компонентов, мас.%:

BaTiO,85,7-89,8

5

CaZrO,

SrCO

ZrOa

ZnO

8,0-10,0

0,65-1,3

0,55-1,0

0,5-1,0

0,5-1,0

Таблица 1BaTiO.

CaZrO,

ЗгСОг

ZrOo

NbjOy

ZrtO

89,8 8,0 0,,65

0,55 0,5

0,5

Таблица 2

20

10

5

1330130 1310130 1360±20

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Целью является увеличение диэлектрической проницаемости. Цель достигается за счет введения в материал на основе титаната бария добавки ZnO при следующем соотношении компонентов материала, мас.%: BaTiOg 85,7-89,8; CaZrOg 8-10; SrCO., 0,65- 1,3; ZrO-z. 0,,0; 0,50-1,0; ZnO 0,50-1,0. При заявляемом соотношении компонентов возрастает до 14000. Материал и изделия получают по традиционной технологии. 2 табл. 00 О 00 (У1 со 00