Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала Советский патент 1989 года по МПК C04B35/46 H01G4/12 

.. - 1

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частностиТсос- тавам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.,Г

Цель изобретевдя - ювышение ди- I электрической проницаемости материа: ЛЗ «

Шихту получают следующим образом.

Предва.-оительно известным в керамической-технологии способом получают спеки титаната бария, цирконата каль- Ция и станната кальция, которые синтезируют при 1220-.1300°С, затем измельчают до удельной поверхности

.: 4000-5000 . Измельченные спеки взятые в заданном соотношении, е- шивают с требуемьм количеством углекислого марганца, оксидов цинка, ниобия и каолина (Глуховецкого месторождения, включающий компоненты

Согласно формулы Al,0,,.2SiO, - 2Н,0) .

Полученную смесь измельчат до удельной поверхности 5000-7000 см /г и используют для получения диэлектрим1есТ ° ° ° Р™«-°й в мическом конденсаторостроении гехнои« Т -Г

ристики папученнь« из ших™ „: :::::

Таблица 1

Известный 10500 14000 0,75

9-10

Ф cJ

рмулаиз обретения

25

Шихта для изготовления сегнето- электрического керамического конденсаторного материала, включакнцая BaTiOj, CaZrOj, IbiCOa, NbjOy, ZnO и добавку, отличающаяся тем, что, с целью повьшения диэлектрической проницаемости материала, содержит в качестве добавки

5,9 10-25

90

1320-1370

CaSnOJ и каолин при следующем соот- ношении, мас.%:

86,21-88,40

8,0-9,0 0,08-0,10 0,70-0,98 0,45-0,70 2,17-2,66 0,20-0,35