Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала Советский патент 1986 года по МПК C04B35/468 H01B3/12 

to

00

СЛ 1 Изобретение относится к радиоэле тронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготов ления низкочастотных керамических конденсаторов. Цель изобретения - снижение диэлектрических потерь при нормальных условиях и повьппение стабильности диэлектрической проницаемости материала в области отрицательных рабочих температур. Предлагаемую шихту сегнетокерами ческого МЕ ериала получают следующи образом. Предварительно известньм в керамическом производстве образом изготавливают спеки-титаната бария, 02 цирконата кальция и титаната стронция, которые синтезируют при 12201300°С и затем измельчают до удельной поверхности 4000-5000 CMVr. Измельченные спеки и оксид цинка, -взя-i тые в заданном соотношении, смешивают и измельчают в течение 1-2 ч до удельной поверхности 5000 7000 см/г. Полученную таким образом шихту используют для получения диэлектрика конденсаторов по известной в керамическом конденсаторостроении технологии. Состав и свойства сегнетокерамического материала для низкочастоттаблиных конденсаторов приведены в це..

liniXTA ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА, содержащая , CaZrO, SrTiO,,отличающаяся тем, что, с целью снижения диэлектрических потерь при нормальных условиях и повьшения температурной стабильности диэлектрической проницаемости материала в области отрицательных рабочих температур, она дополнительно содержит ZnO при следующем соотношении компонентов, мас.%: BaTiO 78,0-89,8 7,0-12,0 CaZrOg 3,0-8,0 SrTiO 0,2-2,0 ZrO

8,0 2,0 8200 0,5 -48

78,0 12,0 5,5 1,1 8600 0,9 -51

83,9 9,5

89,8 7,0 3,0 0,2 9300 1,0 -54