Керамический материал Советский патент 1989 года по МПК C04B35/10 

Изобретение относится к керамическим материалам для радиоэлектронной техники, который может быть использован для изготовления изделий, работающих до 360°С, в том числе оснований резисторов, конденсаторов.

Цель изобретения - снижение температуры спекания материала и повышение теплофизических характеристик при рабочих температурах до 350 С, а также после длительного воздействия температуры.

Пример. Шихту готовят следующим образом.

Получают соединение за счет обжига смеси МпО и в экви- молярных количествах при 1150-1200 С в неконтролируемой газовой атмосфере с последующим раз;-галыванием до удельной поверхности (4-6)103см2/г. Исходные компоненты в определенных соотношениях мелют совместно мокрым способом в шаровой мельнице до удельной поверхности (8-10) 103см2/г, сушат в распылительных сушилках.

Изделия формуют известными способами. Спекают при 1550±20 С.

00

ю

со о

Плотность, г/см33,67

Теплопроводность при температуре 200°С, А, Вт/м град 8,1 ЛКТР (20-350) ЧМ06 1/°С 6,7 Тангенс угла диэлектрических потерь tgif 103,3

Диэлектрическая проницаемость, 69,5

3,74 3,69 3,66- 3,66 3,64

13,112,211,3

7,57,77,6

1.02,83,1

8.19,69,9

Продолжение табл.2

Изобретение относится к керамическим материалам для радиоэлектронной техники, преимущественно для оснований резисторов, подложек, микросхем. Целью данного изобретения является снижение температуры спекания материала и повышение теплофизических характеристик при рабочих температурах до 350°С, а также после длительного воздействия температуры. Для получения керамических материалов с температурой спекания 1550°с с высокими электро- и теплофизическими характеристиками при температурах эксплуатации до 350°с, а также после длительного воздействия температуры, многократного термоциклирования керамический материал, содержащий AI₂O₃, CAO, SIO₂,MGO, дополнительно содержит MNAI₂O₄ при следующем содержании компонентов, мас.%: AI₂O₃ 90,2-94,4

CAO 2,4-3,5

SIO₂ 1,8-2,7

MGO 0,7-1,8

MNAI₂O₄ 0,7-1,8. Керамический материал спекается при 1550°с, на 60-70°с ниже, чем известный КЛТР (20-350)°С увеличивается до 7,6х10⁶ 1/°с

тангенс угла диэлектрических потерь TGδ 2,6х10⁴

удельное объемное сопротивление ъ 8,0х10¹0-3,5х10¹2 Ом. см при 350°с. 3 табл.

Показатели

Известный

Удельное объемное сопротивле- /ние при 350 О Пу , Ом «см

7,66-Ю18 3,5 2,3 8,0 9,0« 7,8 МО 40м МО НО

10

to

Предел прочности при сжатии G, МПа325

Температура обжига,°С -1610

КЛТР (20-350) С х1061/°С

Тангенс угла диэлектрических потерь (tgfr 10) Диэлектрическая проницаемость Удельное объемное сопротивление ру, Ом-см

Состав

Предлагаемый

ЕГПГПИ

7,8

10

to

337 325 310 330 1550 1550 1550 1550

330 1550

ТаблицаЗ

2

45

70 30

80

30

52 16

60