Известен способ получения полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумнрования н нагрева ампулы до температуры синтеза. Однако при этом происходит взаимодействие элементов с материалом ампулы, что снижает чистоту конечного продукта.
Предлагаемый способ отличается тем, что шихту помещают в несколько тиглей, например, из Корунда, графита, циркония, расположе.гных таким образом, чтобы дно одного тигля служило крышкой другого. Это позволяет получать более чистый продукт и проводить синтез нескольких полупроводниковых материалов в одной ампуле.
При осуществлении способа готовят шихту, содержащую взаимодействующие с 1$варцем элементы. Шихту размещают в цилиндрические тигли. Нижняя часть каждого тигля имеет внешний шлиф, а верхняя часть - внутренний шлиф. ТиглИ устанавливают таким образом, что дно верхнего тигля служит крышкой нижнего. Батарею, СОСТОЯЩУЮ Hi трех-четырех тиглей с шихтоГ, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежения, равного мм Р|. ст. Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практическ он непроницаем для конденсирующихся паров и жидкости, так как капилляры шлифа быстро забиваются конденсатом.
При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы Mg-Si-Sb и Mg-Sn-Sb с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивания, на внутренней поверхности ампулы заметного взаимодействия кварца с парами магния НС обнаруживается.
Способ может быть применен для синтеза таких соединений, как фосфид индия и арсенид галлия.
№ 150495- 2 Способ получения полупроводниковых материалов путем ввода шихты элементов в кварцевую ампулу, вакуумирования и нагрева ампулы до температуры синтеза, отличающийся тем, что, с целью получения более чистого продукта « получения нескольких полупроводниковых материалов в одной ампуле, шихту помещают в несколько тиглей, например, из коруида, графита, циркония, расположенных таким образом, чтобы дно одного тигля служило крышкой другого.
Предмет и, о б р е т € н и я
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ очистки индия от примесей олова и свинца | 1961 |
|
SU139844A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИ- И МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ | 1999 |
|
RU2173738C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЦИНТИЛЛЯТОРА НА ОСНОВЕ САМОАКТИВИРОВАННОГО РЕДКОЗЕМЕЛЬНОГО ГАЛОГЕНИДА | 2021 |
|
RU2762083C1 |
СПОСОБ СИНТЕЗА ПОЛИКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ ГРУПП II-VI | 2011 |
|
RU2526382C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2015 |
|
RU2610058C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОСОБО ЧИСТЫХ СУЛЬФИДОВ P-ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2012 |
|
RU2513930C1 |
Способ получения технической керамики из моносульфида самария | 2017 |
|
RU2674346C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФТОРИДНЫХ СТЕКОЛ С ШИРОКИМ ИК ДИАПАЗОНОМ ПРОПУСКАНИЯ | 2013 |
|
RU2526955C1 |
Способ варки тугоплавких стекол и индукционная печь для варки тугоплавких стекол | 1979 |
|
SU872465A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННЫХ СИЛУМИНОВ | 2000 |
|
RU2177048C1 |
Авторы
Даты
1962-01-01—Публикация
1961-11-03—Подача