Способ пайки полупроводникового кристалла Советский патент 1989 года по МПК B23K1/12 

Ш

(Л

Изобретение относится к пайке, а именно к технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем, и может быть использовано при изготовлении мощных полупроводниковых микросборок. Цель изобретения - повышение качества пайки. В процессе пайки производят активацию паяемой поверхности магнитным полем, ориентированным перпендикулярно паяемой поверхности. Верхняя граница температурного режима пайки определяется точкой Кюри составных компонентов спаиваемых материалов, а нижняя - температурой плавления применяемого припоя. Способ позволяет повысить качество пайки и тем самым снизить технологические потери при сборке мощных полупроводниковых микросборок. 1 табл.

Изобретение относится к пайке, а именно к технологии производства полупроводниковых приборов и микросхем, и может быть использовано при изготовлении мощных полупроводниковых микросборок.

Цель изобретения - повышение качества пайки.

Сущность способа заключается в создании и использовании как активирующего фактора потенциала на спаиваемой поверхности полупроводника, образующегося за счет эффекта Холла, а также в осуществлении равномерного сжатия спаиваемых поверхностей за счет намагничивания слоев из ферромагнитных материалов, наносимых обычно на спаиваемые поверхности кристалла и основания при подготовке их к пайке. Поэтому верхняя граница температурного режима пайки определяется точкой Кюри составных компонентов спаиваемых материалов, а нижняя - температурой плавления применяемого припоя.

Пример. Полупроводниковый кристал.л, например кристалл транзистора КТ826А, покрытый при подготовке его к пайке слоем никеля, толщиной б 8 мкм и слоем золота 3-4 мкм, устанавливают через слой припоя на контактную площадку металлического основания из молибдена, покрытую предварительно слоями никеля и золота, и фиксируют эту сборку в кассете. Затем кассету со сборкой помещают в устройство для пайки, снабженное электромагнитами так, что силовые линии проходят перпендикулярно поверхности кристалла. Детали нагревают до температуры плавления припоя, выдерживают в течение времени, достаточного для образования паяного соединения, и охлаждают.

сл

о сд

а ;о

Магнитное поле может быть как постоянным, так и переменным. Пайку проводят в течение 2-3 мин в магнитном поле напряженностью I500 Э и в температурНом интервале 356-358°С при условии |1спользования припоя на основе эвтекти- liecKoro сплава золото-германий (12% гер- йания и 88% золота). Предлагаемым Способом были спаяны 20 образцов. Для

Как видно из таблицы, тепловое сопро- tивлeниe переход-корпус, паяных в маг- щитном поле, ориентированном перпендику- фярно паяемым поверхностям в 1,1 раз 1Йеньше, чем тепловое сопротивление пе- ||)еход-корпус, паяных в магнитном поле параллельно паяемой поверхности.

Использование предлагаемого способа позволяет повысить качество пайки и сни- ;Ить, тем самым, технологические потери нфи сборке мощных полупроводниковых 1Иикросборок, а также увеличить их надеж- шость при работе в составе РЭА.

сравнения спаяли также 20 образцов при активации магнитным полем, ориентированным параллельно паяемой поверхности.

Результаты испытаний сведены в таблицу.

Формула изобретения

Способ пайки полупроводникового крис талла, включающий сборку, нанесение припоя, активацию паяемой поверхности воздействием магнитного поля и пайку в температурном интервале, ограниченном значением температур точки Кюри материалов паяемых деталей, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пайки, активацию проводят магнитным полем, ориентированным перпендикулярно паяемой поверхности.