Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия Советский патент 1992 года по МПК C30B33/00 C30B29/32 

(Л

с

Изобретение касается обработки кристаллов, может быть использовано при промышленном производстве монокристаллов вольфрамата кадмия и позволяет увеличить выход годных кристаллов и повысить их световой выход. Кристаллы нагревают в вакууме со скоростью 50-100 град/ч до 390 450°С и выдерживают в течение ч. Затем проводят их термообработку в кислородсодержащей атмосфере. При этом нагрев ведут со скоростью 50-100 град/ч до 640-950°С. выдержку осуществляют в течение 10-15 ч, а охлаждение проводят со скоростью 30-50 град/ч. Достигают увеличения светового выхода кристаллов относительно светового выхода кристаллов Cs 1(71) до 43%. 1 табл.

Изобретение касается обработки монокристаллов и может быть использовано при npoMi,пиленном производстве монокристаллов вольфрама клдмия. предназначенных для регистрации и спектрометрии рентгеновского и гамма-излучения.

Целью изобретения является увеличение выхода годных и повышение светового выхода кристаллов.

При м ер 1. Кристалл вольфрамата кадмия CdWOi размером 10 10 3 мм нагревают в вакууме (10 торр) до 400°С со скоростью 50 град/ч, выдерживают 4 ч, затем нагревают до 700°С в атмосфере воздуха со скоростью 100 град/ч и выдерживают при этой температуре 24 ч. после чего проводят охлаждение со скоростью 50 град/ч. Фиксируют, что световой выход с кристалла относительно Csl(TI) и его энергетическое разрешение R по линии (Е 0.662

МэВ) до обработки составляют 32 и 13%, а после обработки 43 и 10,3% соответственно. Достигают увеличения светового выхода кристалла относительно исходной величины на 33%, что значительно превышает результат (), получаемый согласно прототипу.

В таблице приведены значения светового выхода с отработанных кристаллов относительно светового выхода кристаллов в зависимости от условий обработки.

Из таблицы видно, что у всех образцов после обработки по предлагаемому способу световой выход увеличен на 15-20% относительно исходной величины, тогда как по способу-прототипу (пример 5) на 5%. Выход годных кристаллов увеличивается в несколько раз.

Формула изобретения

Способ термообработки монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий насл ел

XI

ю о

грев, выдержку и охлл) k iicTiiiO;i--f. держащей атмосфере, о т л ц ч ) ю Л и и с. я тем, 410: с целью yne nrii ir-vi ru xo/in n:) и повышения светспкио iui;.o. Г Ч :. . предварительно и;;и)г-1; 1-:ду . i..op fici ьм

50--100 грпд/ч при иопг ерь-юнои Г1;кл гг ; ...i со riv Ji). i 10 ЗП J ; i.icT/i/

MarpGD n (уу- :

темперпту рз, С

ДЛП1 ;;,1Ча1ПСТЬ t bi- I rPM;ief чуР С Д;1И т с;,;, . ВЬ I 1 Г)К)ГО MilXd 150450 450

Мм) ,f) ( г ,(Й ;il:i/iMp KKOM i; .

пие 2 Г) ч .mew откачку прекрпщпкм, г.иодя

I и;,, p - ii, --Д- -р. Ji iyi airc c JOfiy. п }п/1ол.ка/ iiMir.M-, с ::: .::.: ()((к;тьк ДО G lO к

р.,ч.,-1с;,1.г |И 11 j ; || ч :,: / , ., ;) 0. Л .;;;.: И 110