Способ очистки диоксида кремния Советский патент 1990 года по МПК C01B33/12 

Описание патента на изобретение SU1549917A1

Изобретение относится к способам очистки диоксида кремния, применяемого для производства кварцевых или оптических стекол.

Целью изобретения является повышение чистоты продукта за счет снижения содержания гидроксильных групп и углерода в продукте, а также снижение энергозатрат.

Пример 1. Во вращающийся конической кварцевый реактор засыпают 50 г диоксида кремния марки ОСЧ. Содержание гидроксильных групп в образце 1,2 мас.%. Реактор нагревают до 220 С в течение 3 мин. При скорости 3 г/мин через реактор продувают C1F3. После окончания подачи ClF5 реактор охлаждают в токе сухого аргона. Выход

SiO 99,3%. Содержание гидроксильных групп после обработки 2-10 мас.%. Углерод отсутствует.

П р и м е р 2. Эксперимент проводят аналогично примеру 1, только используют диоксид кремния, полученный гидролизом тетраэтоксисилана. Температура реактора 120°С, скорость потока реагента 0,5 г/мин. Выход диоксида кремния 99,85%. Содержание гидроксильных групп после обработки 5-10 мас.%. Углерод отсутствует.

Результаты остальных опытов и данные прототипа представлены в таблице.

Таким образом, предложенный способ позволяет повысить чистоту продукта по углероду и воде и снизить энергозатраты.

сп

4ь СО СО

31549917

Формула изобретения

Способ очистки диоксида кремния, включающий нагревание его в токе газообразного фторсодержащего реагента, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты продукта за

счет снижения содержания гидроксиль- ных групп и углерода в нем, а также снижения энергозатрат, в качестве фторсодержащего реагента используют трифторид хлора, а процесс ведут при 120 - 250°С.

Похожие патенты SU1549917A1

название год авторы номер документа
Способ получения гептафторотанталата калия 1990
  • Суховерхов Валерий Филиппович
  • Щербилин Валерий Борисович
  • Аленчикова Инна Феофилактовна
  • Садикова Алла Тихоновна
  • Таканова Надежда Дмитриевна
  • Ануфриев Иван Иванович
  • Попов Артур Иванович
SU1723040A1
Способ получения волокнистого кремния 2019
  • Шишкин Роман Александрович
  • Кудякова Валерия Сергеевна
RU2717780C1
Способ получения анодного материала для литий-ионных аккумуляторов 2023
  • Кудякова Валерия Сергеевна
  • Шишкин Роман Александрович
RU2812230C1
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ТЕТРАХЛОРСИЛАНА 2010
  • Щелконогов Анатолий Афанасьевич
  • Щелконогов Максим Анатольевич
  • Мальцев Николай Александрович
  • Мальцев Александр Николаевич
RU2450969C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ 2008
  • Гринберг Евгений Ефимович
  • Лянная Людмила Августовна
RU2398913C1
СПОСОБ СИНТЕЗА НЕОРГАНИЧЕСКИХ ФТОРСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ 2004
  • Мельниченко Евгения Ивановна
RU2278073C1
СПОСОБ ГАЗОФАЗНОЙ КАРБИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ОРИЕНТАЦИИ (111), (100) 2015
  • Кондрашов Владислав Андреевич
  • Неволин Владимир Кириллович
  • Царик Константин Анатольевич
RU2578104C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА 2016
  • Михайлов Михаил Дмитриевич
  • Мамонова Дарья Владимировна
RU2634321C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕТРАФТОРИДА КРЕМНИЯ, СПОСОБ ОТДЕЛЕНИЯ ТЕТРАФТОРИДА КРЕМНИЯ ОТ КИСЛОРОДА И ВЫСОКОЛЕТУЧИХ ФТОРИДОВ ПРИМЕСЕЙ, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА КРЕМНИЯ ИЗ ТЕТРАФТОРИДА КРЕМНИЯ 2003
  • Карелин Александр Иванович
  • Карелин Владимир Александрович
  • Абубекеров Равиль Абдурахимович
  • Домашев Евгений Дмитриевич
RU2324648C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ СИСТЕМЫ As-S С НИЗКИМ СОДЕРЖАНИЕМ КИСЛОРОДА 2009
  • Снопатин Геннадий Евгеньевич
  • Плотниченко Виктор Геннадьевич
  • Чурбанов Михаил Федорович
RU2419589C1

Реферат патента 1990 года Способ очистки диоксида кремния

Изобретение относится к способам очистки диоксида кремния, применяемого для производства кварцевых или оптических стекол, и позволяет повысить чистоту продукта за счет снижения содержания гидроксильных групп и углерода в продукте, а также снизить энергозатраты. В кварцевый вращающийся реактор загружают диоксид кремния и нагревают до 120-250°С. Затем через реактор пропускают трифторид хлора. После окончания продувки CLF3 через реактор пропускают сухой аргон. Диоксид кремния в сухом боксе собирают и анализируют. Эксперименты проводят в проточном реакторе на порошкообразных образцах массой 50 г. Время пропускания реагента над диоксидом кремния марки OC4 составляет 3 мин при скорости потока 3 г/мин. При обработке SIO2, полученного из тетраэтоксисилана, скорость потока 0,5 г/мин при том же времени. 1 табл.

Формула изобретения SU 1 549 917 A1

Предлагаемый способ

Скорость пропускания газового реагента 3 г/мин, время 3 мин. Скорость пропускания газового реагента 0,5 г/мин, время 3 мин.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1990 года SU1549917A1

Okuraki Susumu, Kurosaki Akito
J.Fluor Ghem, 1987, v.35, tf 1, p
Автоматический огнетушитель 0
  • Александров И.Я.
SU92A1

SU 1 549 917 A1

Авторы

Жигарновский Борис Матвеевич

Суховерхов Валерий Филиппович

Панасюк Георгий Павлович

Лазарев Владислав Борисович

Кириленко Владимир Валентинович

Фалькенгоф Аркадий Товиевич

Коженков Владислав Юрьевич

Даты

1990-03-15Публикация

1988-04-25Подача