Керамический материал для конденсаторов Советский патент 1990 года по МПК C04B35/497 

(21)А352866/23-33

(22)29.12.87

() 23.03.90. Бюл. N- 11

(71)Ростовский государственный университет им. М.А. Суслова

(72)А.А. Боков, И.П. Раевский, B.W. Шонов и А.Е. Панич

(53) 666.638(088.8)

(56)Заявка ЛРГ If , кл. С 04 В 35/02, 1979.

Патент США Vf 1 287075, кл. Н 01 В 3/12, 1981.

( КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ КОНДЕНСАТОРОВ

(57)Изобретение относится к керамическим диэлектрическим материалам и

может быть использовано для изготовления низкочастотных конденсаторов, преимущественно силовых. Для повы шения диэлектрической проницаемости керамический материал для конденсаторов содержит дополнительно при следующем соотношении компонентов, мае.2: PbMg,/jNbt/303 53,61-77,09;

PbFe,(lNb,/zO} 21,31-25,07; Li20 0,17- 0,62 и PbFe,,zTa.,/z05 1,20-20,92. Полученный по обычной керамической технологии: синтез при 850-800°С 3 ч, спекание при 1120-1170 С в течение 2-3 ч, материал имеет следующие характеристики: 2 000-27700; tgЈ(1,1- 1,5)%, Р (9-И)4 - 1и1г) Ом-см. 1 табл.

(Л

Изобретение относится к керамическим диэлектрическим материалам и может быть использовано для изготовления низкочастотных конденсаторов, преимущественно силовых. Для повышения диэлектрической проницаемости керамический материал для конденсаторов содержит дополнительно PBFE_1/2TA_1/2O₃ при следующем соотношении компонентов, мас.%: PBMG_1/3NB_2/3O₃ 53,61-77,09, PBFE_1/2NB_1/2O₃ 21,31-25,07, LI₂O - 0,17-0,62 и PBFE_1/2TA_1/2O₃ 1,20-20,92. Полученный по обычной керамической технологии: синтез при 850-800°С 3-4 ч, спекание при 1120-1170°С в течение 2-3 ч, материал имеет следующие характеристики: ε 24000-27700

TGδ /1,1-1,5/%, ρ /9^.10¹¹-4^.10¹²/ Ом^.см. 1 табл.

Изобретение относится к керамическим диэлектрическим материалам и может быть использовано для изготовления низкочастотных конденсаторов, преимущественно силовых.

Цель изобретения - повышение диэлектрической проницаемости материала .

Спекают и исследуют образцы составов, указанных в таблице. Для изготовления материала используют РЬО, ЫЬдОу, MgO и марки o.c.4.,F203 ч.д.а., добавку - вводят в шихту в виде марки х.ч. Предварительно синтезируют тройные оксиды PbFe,|2Nb1/2),, PbMg(/1Nbj/,03 и PbFe,|2Ta,/z03. Для этого соответствующие простые оксиды и перемешивают в фарфоровой ступке в дистиллированной воде, высушивают, прессуют

в брикеты при давлении 1 %10в Па. Синтез проводят при 850-900°С 3- ч. Затем спеки дробят, перемешивают в фарфоровой ступке в дистиллированной воде и высушивают в сушильном шкафу. В порошок добавляют в качестве пластификатора 3%-ный водный раствор поливинилового спирта и при давлении 2-Ю8 Па прессуют образцы в виде дисков диаметром 15 мм и толщиной 1 мм. Спекание проводят при 1120-1170 С в течение 2-3 ч по общепринятой для свинецсодержащей керамики методике - в герметично закрытых алундовых тяг- лях с использованием засыпки, создающей повышенное давление паров PfaO.

Электроды наносят вжиганием серебряной пасты. Диэлектрическую проницаемость Ј и eg $ измеряют на частоте 1,6 кГц полуавтоматическим мостом

СП

л

э х &

емкостей при 20°С. Измерение удельного электрического сопротивления и осуществляют методом непосредственного отклонения при постоянном напряжении 100 В электрометром.

Результаты испытаний представлены в таблице.

Формула изобретения

Керамический материал для конденсаторов, включающий PbMg Nbi/jOj,

РЬРе,|г№,(2Ов И И СЛОЖНЫЙ ОКСИД свинца - тантала, о т л и ч a tout и и с я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, он содержит в качестве последнего Та|/2 0} при следующем соотношении компонентов, мас.&;

РЪМВ(йМЬг/ 09

PbFe,(lNbf(t03

Li2()

РЬКе„гТа,/гО,

53,Ы-77,09 21,31-25,07 0,17-0,62 1,20-20,92