Ы
и
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Оперативное запоминающее устройство с коррекцией информации | 1984 |
|
SU1203364A1 |
Запоминающее устройство с самоконтролем | 1983 |
|
SU1167659A1 |
Запоминающее устройство с автономным контролем | 1990 |
|
SU1785040A1 |
Устройство для обнаружения и коррекции ошибок | 1986 |
|
SU1372367A1 |
Запоминающее устройство с исправлением ошибок | 1981 |
|
SU982098A1 |
Оперативное запоминающее устройство с коррекцией информации | 1983 |
|
SU1111206A1 |
Запоминающее устройство | 1983 |
|
SU1246137A1 |
Резервированное оперативное запоминающее устройство | 1982 |
|
SU1137538A1 |
Запоминающее устройство | 1988 |
|
SU1547035A1 |
Запоминающее устройство | 1981 |
|
SU1014042A1 |
Изобретение относится к вычислительной технике и может использоваться при построении постоянной памяти с последовательной выборкой информации массивами. Целью изобретения является упрощение устройства. Устройство содержит M-разрядный накопитель, формирователь синдрома ошибки, суммирующий регистр, дешифратор синдрома ошибки, анализатор синдрома ошибки, блок коррекции, информации, коммутатор, регистр адреса и блок управления. В устройстве считывание массива информации производится за N тактов, причем в каждом такте формируется частичный синдром по коду Хэмминга для M.N-разрядного слова, который накапливается в суммирующем регистре. По окончании считывания сформированный синдром содержит адрес ошибочного слова накопителя и номер разряда с ошибкой. 2 ил.
Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении постоянной памяти с последовательной выборкой информации массивами.
Цель изобретения - упрощение устройства.
На фиг. 1 представлена схема постоянного запоминающего устройства с самоконтролем; на фиг. 2 - временная диаграмма работы устройства.
Устройство (фиг. 1) содержит регистр 1 адреса, накопитель 2, формирователь 3 синдрома ошибок, суммирующий регистр 4, дешифратор 5, анализатор 6 синдрома ошибки, блок 7 управления, коммутатор 8, блок 9 коррекции информации, адресные входы 10 и информационные выходы 11 устройства, выходы одиночной 12 и множественной 13 ошибки устройства, выходы 14
адреса ошибочного слова устройства, входы 15 коррекции информации устройства, выходы 16-20 блока 7 управления и вход 21 управления режимов работы устройства.
Устройство работает в режимах чтения информации и режиме коррекции одиночных ошибок чтения.
В режиме чтения на входы 10 регистра 1 поступает адрес первой группы разрядов (слова) первого массива информации. С выхода накопителя 2 первое слово массива (группа разрядов) поступает на входы коммутатора 8, далее - на выходы 11 устройства. Одновременно формирователь 3 синдрома ошибки формирует частичный синдром, который поступает на суммирующий регистр 4. В следующем такте режима чтения аналогично считывается из накопителя 2 следующее слово массива. Формирователь 3 формирует второй частичный
ел ч
сЈ
00
GJ
синдром данного слова массива, который поступает на вход суммирующего регистра 4 и суммируется по mod 2 с предыдущим частичным синдромом. Управление регистром 4, осуществляет блок 7 управления в соответствии с матрицей кодирования.
Аналогично происходит чтение всех J слов массива. По окончании считывания всех слов данного массива на регистре 4 формируется общий синдром по коду Хэм- минга всего массива. Данный синдром поступает на входы дешифратора 5 и анализатора 6 синдрома ошибки. В случае отсутствия признаков одиночной и множественной ошибок на выходах 12 и 13 устройства разрешается дальнейшее использование считанного массива и начинается считывание следующего. В случае возникновения одиночной ошибки в считанном массиве на выходе 12 появляется сигнал признака одиночной ошибки, на выходах 14 - адрес слова (группы разрядов) массива, в котором произошла ошибка, в результате ЦВМ (на фиг. 2. не показана) фор- мирует режим корректировки одиночной ошибки. В этом режиме на вход 21 блока 7 поступает начальный адрес микропрограммы корректировки, который обеспечивает работу устройства в режиме корректировки, при зтом осуществляется коммутация выходов блока 9 коррекции на выходы 11 устройства через коммутатор 8. Далее на выходы 15 из ЦВМ поступает слово (группа разрядов) массива с одиночной ошибкой, соответствующее адресу ошибочной труп1 пы, сформированному на выходе 14, и в соответствии с кодом общего синдрома ошибочный бит слова корректируется в блоке 9, а исправленное слово поступает на выходы 11 устройства. Затем осуществляется начальная установка блоков устройства и начинается считывание следующего массива.
Формула изобретения Постоянное запоминающее устройство с самоконтролем, содержащее регистр адреса, информационные входы которого являются адресными входами устройства, а выходы соединены с адресными входами накопителя, выходы которого подключены к входам формирователя синдрома ошибки, дешифратор синдрома ошибки, выходы первой группы которого являются выходами адреса ошибочного слова устройства, а выходы второй группы соединены с входами первой группы блока коррекции информации, входы второй группы которого являются входами коррекции информации устройства, анализатор синдрома ошибки, первый и второй выходы которого являются соответственно выходами одиночной и множественной ошибки, а управляющий вход
подключен к третьему выходу блока управления, первый и второй выходы которого соединены соответственно с синхровходом регистра адреса и входом выборки накопителя, вход блока управления является входом управления режимом работы
устройства, отличающееся тем, что, с
целью упрощения, в устройство введены
суммирующий регистр и коммутатор, причем информационные входы суммирующего
регистра соединены с выходами формирователя синдрома ошибки, синхровходы суммирующего регистра подключены к соответствующим выходам группы блока управления, четвертый выход которого соединен с управляющим входом коммутатора, выходы которого являются информационными выходами устройства, информационные входы первой и второй групп коммутатора подключены соответственно к
0 выходам накопителя и к выходами блока коррекции информации, выходы суммирующего регистра соединены с входами дешифратора синдрома ошибки и с входами анализатора синдрома ошибки.
t $
СЭ cvj Ј- j. T U- Ю °O СЭ т-Г-Ч- 4-«.. №0 oiCrsO $oC4J
T V 4. «-, -
I
Конопелько В.К., Лосев В.В | |||
Надежное хранение информации в полупроводниковых запоминающих устройствах | |||
М.: Радио и связь, 1986, с | |||
Способ получения борнеола из пихтового или т.п. масел | 1921 |
|
SU114A1 |
Там же, с | |||
Ударно-долбежная врубовая машина | 1921 |
|
SU115A1 |
Авторы
Даты
1990-06-15—Публикация
1988-01-08—Подача