Изобретение относится к технологии получения тонких полимерных пленок органических соединений и может быть использовано при создании пленочных элементов интегральных схем, диэлектрических, влагозащитных и герметизирующих покрытий изделий электронной техники, при изготовлении радиодеталей, радиокомпонентов, может найти применение при создании металлополимерных изделий, при изготовлении адгезионного подслоя в различных покрытиях.
Целью изобретения является ускорение процесса полимеризации.
Пример 1. Тетрааллиловый эфир бензофенонтетракарбоновой кислоты (ТАЭ БТК) смешивают с 5 мас.% третбутил- пербензоатом. Составляют 10%-ный раствор приготовленной смеси в ацетоне, наносят раствор методом окунания на серийно изготавливаемые полоские конденсаторы типа К 26-1-ОЖО 484 169 ТУ. Затем
конденсаторы с нанесенным материалом подвергают 4-кратному воздействию мощного импульса светового некогерентного излучения от ксеноновых ламп накачки типа ИНП-16/250 А с плотностью потока энергии 4 Дж/см2 и длительностью импульса 2 мс. После последующей технологической операции (покрытие компаудом ЭК-93-1) конденсаторы подвергают испытаниям на влагостойкость. Испытание подтвердили хорошие влагозащитные свойства полученной пленки ТАЭ БТК.
Пример 2. Кремнийорганический компаунд 159-167 наносят тонким (10- 20 мкм) слоем на металлическую пластинку. После нанесения материала на пластинку ее подвергают 7-10-кратному воздействию мощного импульса светового некогерентного излучения с плотностью потока энергии 10 Дж/см2 и длительностью импульса 1 мс. Пленка компаунда заполимеризовалэсь полностью.
сл %1 о сл VI го
П р и м е р 3. Полиамидный лак ПАИ-1 был нанесен тонким (10-20 мкм) слоем на металлическую подложку. После нанесения пленку подвергают 5-кратному воздействию мощного импульса некогерентного из- лучения с плотностью потока энергии 8 Дж/см2 и длительностью импульса 1,5 мс. Пленка эаполимеризовалась полностью.
Пример 4. Диаллилдидодециловый эфир бензоф енонтетракарбоновой кисло- ты наносят тонким (10-20 мкм) слоем на металлическую подложку. После нанесения пленку подвергают 3-кратному воздействию мощного импульса некогерентного света с плотностью потока энергии 5 Дж/см2 и длительностью импульса 0,5 мс. Пленка за- полимеризовалась полностью.
Пример 5. Диаллилдибутиловый эфир бензонфенонтетракарбоновой кислоты наносят тонким (12-20 мкм) слоем на стеклян-
ную подложку. После нанесения пленку подвергают 10-кратному воздействию мощного импульса некогерентного света с плотностью потока энергии 4,5 Дж/см2 и длительностью импульса 3 мс, Пленка полностью заполимеризовалась.
Таким образом, время полимеризации сократилось до нескольких десятков секунд без ухудшения качества покрытия. Формула изобретения Способ получения полимерных пленок, включающий нанесение на подложку фотохимически полимеризуемых материалов и их облучение светом, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса полимеризации, материал облучают 3-10 импульсами некогерентного света с плотностью световой энергии 4-10 Дж/см2
и длительностью 0,5-3,0 мс.
импульсов света
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК РУТИЛА | 2010 |
|
RU2436727C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ, ИМЕЮЩЕЙ ОБЛАСТИ С РАЗЛИЧНЫМИ ЗНАЧЕНИЯМИ ПЛОТНОСТИ КРИТИЧЕСКОГО ТОКА | 2008 |
|
RU2375789C1 |
Способ нанесения тонких металлических покрытий | 2016 |
|
RU2712681C1 |
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЕЧАТИ | 2000 |
|
RU2176600C2 |
СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО КОНТРОЛИРУЕМОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ ОКСИДА ГРАФЕНА ДЛЯ СЕНСОРНЫХ ПРИМЕНЕНИЙ | 2018 |
|
RU2697471C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКИСНЫХ ПЛЕНОК | 1991 |
|
RU2110604C1 |
Способ повышения износостойкости и антикоррозионных свойств изделий из стали | 2021 |
|
RU2764041C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГОЛОГРАММ НА КРЕМНИИ | 1997 |
|
RU2120653C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ YBaCuO-Х ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТЬЮ НА ЗОЛОТОМ БУФЕРНОМ ПОДСЛОЕ | 2013 |
|
RU2538931C2 |
9-Диэтиламино-3-метакрилоилокси-5Н-бензо[ @ ]феноксазин-5-дицианметилен в качестве термонапыляемого фоторезиста для сухой литографии | 1988 |
|
SU1556076A1 |
Изобретение относится к технологии получения тонких полимерных пленок из фотохимически полимеризуемых материалов и может быть использовано при создании пленочных элементов радиоэлектронных схем и адгезионного подслоя для различных покрытий. Оно позволяет ускорить процесс полимеризации. Это достигается тем, что нанесенный на подложку материал облучают 3 - 10 импульсами некогерентного света с плотностью световой энергии 4 - 10 Дж/см 2 и длительностью импульсов света 0,5 - 3,0 мс.
Авторское свидетельство СССР № 223326, кл, С 08 F 2/48, 1966. |
Авторы
Даты
1990-07-23—Публикация
1987-01-08—Подача