Изобретение касается нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано в устройствах для нанесения резиста в микроэлектронике.
Целью изобретения является повышение качества покрытий за счет уменьшения их дефектности.
Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлен предлагаемый испаритель в общем виде.
Испаритель состоит из реакционной камеры 1, внутри которой расположены нагреватель 2, подложкодержатель 3, формирователь 4 потока пара и тигель 5. Тигель 5 выполнен в виде баллона 6 с герметичной крышкой 7, в которой выполнено центральное отверстие 8, а на боковой поверхности баллона 6 выполнено отверстие для загрузки резиста, которое закрывается пробкой 10. Баллон 6 соединен герметично с рассекателем 11 потока пара в виде усеченного конуса со сквозными отверстиями 12 через сильфон 13.
В центре рассекателя 11 потока пара закреплен клапан в виде стержня 14 с торцовыми сферами 15 и 16, при этом сфера 16 размещена в центральном коническом или цилиндрическом отверстии 8 крышки 7, В формирователе 4 потока пара выполнено гнездо 17 в виде усеченного конуса, в котором устанавливают рассекатель 11 потока пара.
Испаритель имеет дополнительную камеру 18 с трубкой 19 для ввода инертного газа и механизмом 20 возвратно-поступательного перемещения тигля 5.
Между реакционной камерой 1 и дополнительной камерой 18 размещен вакуумный затвор 21. Дополнительная камера 18 соединена также патрубком 22 вакуумной откачки.
Испаритель работает следующим образом.
В дополнительную камеру 18 загружают тигель 5, камеру 18 герметизируют и включают вакуумную откачку, затем механизмом 20 перемещают тигель 5 через отверстие открытого затвора 21 в реакционную камеру 1 и устанавливают рассекатель 11 потока пара в коническом гнезде 17 формирователь 4 потока пара, закрывая тигель 5 с помощью клапана. Формирователь 4 потока пара с тиглем 5 располагают напротив и соосно подложкодержателю 3 с кремниевыми подложками. Затем реакционную камеру 1 откачивают до 1,3•10-6 Па и нагревают нагревателем 2 тигель 5 до температуры сублимации резиста в течение 1 ч (для каждого типа резиста своя температура). Так для резиста ЭВИ-1 температура нагрева 160oC, а для ВАИ-1 400oC. После этого механизмом 20 перемещают тигель 5 назад так, чтобы, освобождая формирователь 4 без разъединения конусов формирователя 4 рассекателя 11, стержень 14 сферой 16 приоткрывал коническое или цилиндрическое отверстие 8 на нужную величину и пары резиста через отверстие 12 рассекателя 11 потока пара и формирователь 4 потока пара попадали на кремниевую подложку, распложенную на подложкодержателе 3. По окончании процесса отключают нагреватель 2 и перемещают тигель 5 через открытый зазор 21в дополнительную камеру 18 и включают подачу азота через трубку 19 ввода инертного газа.
Изобретение позволяет исключить оседание резиста на арматуре испарителя, исключая этим попадание частиц в паровой поток, сократить расход дорогостоящего резиста за счет герметичности тигля и направленного испарения, повысить производительность путем более длительного времени использования резиста (расположенного в герметичном тигле) и исключения разгерметизации рабочей камеры при замене тигля, автоматизировать процесс нанесения резиста за счет использования дополнительной камеры, затвора, средства перемещения и герметичного тигля и повысить удобство обслуживания за счет полной герметизации реакционной камеры.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ИСПАРИТЕЛЬ | 1991 |
|
RU2031187C1 |
Устройство для нанесения покрытий на порошок | 1981 |
|
SU966117A1 |
Испаритель для сухих вакуумных резисторов | 1990 |
|
SU1812237A1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВАКУУМНОГО НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ | 2011 |
|
RU2467093C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАГРУЗКИ В ИСПАРИТЕЛЬ ИСПАРЯЕМЫХ ВЕЩЕСТВ МАТЕРИАЛОВ | 1991 |
|
RU2019577C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ | 1995 |
|
RU2111291C1 |
ИСПАРИТЕЛЬ | 1988 |
|
SU1605575A1 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ И ИСПАРИТЕЛЬ ВАКУУМНОЙ УСТАНОВКИ ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1992 |
|
RU2061786C1 |
УСТРОЙСТВО ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ | 1991 |
|
RU2014670C1 |
СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОЧИСТОГО МЕТАЛЛА | 1995 |
|
RU2083698C1 |
Изобретение относится к вакуумной технике, в частности к устройствам для нанесения резиста в вакууме. Цель изобретения- исключение привносимой дефектности - достигается тем, что устройство снабжено дополнительной камерой 18 со средством возвратно-поступательного перемещения 20 тигля 5 и средствами ввода инертного газа 19 и вакуумной откачки 22, соединенной затвором 21 с реакционной камерой 1. Тигель 5, выполнен из герметично соединенных между собой с возможностью перемещения относительно крышкой 7 и рассекателя 6 с герметичной крышкой 7 и рассекателя 11 потока пара в виде усеченного конуса с сквозными отверстиями 12, соединенного со средством запирания, взаимодействующим с выполненным центральным отверстием 8 в крышке 7 баллона 6. На боковой поверхности баллона 6 выполнено отверстие 9 для размещения в нем пробки 10, а в формирователе потока пара выполнено гнездо 17 в виде усеченного конуса для размещения в нем рассекателя 11 потока пара. Между баллоном 6 и рассекателем 11 расположен герметично соединенный с ними сильфон 13, а средство запирания выполнено в виде стержня со сферами 15, 16. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Патент США N 3581766, кл | |||
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб | 1921 |
|
SU23A1 |
Патент США N 3504094, кл | |||
Прибор для равномерного смешения зерна и одновременного отбирания нескольких одинаковых по объему проб | 1921 |
|
SU23A1 |
Авторы
Даты
1996-12-10—Публикация
1988-09-28—Подача