Травитель для монокристаллов нитрита натрия Советский патент 1990 года по МПК C30B33/00 C30B29/10 

Описание патента на изобретение SU1612000A1

Изобретение относится к области исследования дефектной структуры материалов и может быть использовано при произво;}стве приборов, работающих на сегнетоэлектриках.

Цель изобретения - выявление дислокаций в кристаллах.

Пример, Для приготовления состава используют следующие реактивы: этиловый спирт Оси 20-5, кальций хлористый (плавленный) Ч.

В стакан из фторопласта с помощью мерного цилиндра отмеряют 250 мл (99,93 мас.%) этилового спирта, после чего добавляют взвешенный на технических весах первого класса порошок хлорида кальция в количестве 140 мг(0,07 мас.%). Затем состав перемешивают с помощью магнитной мешалки ОР 913/3 в течение 15 мин и разливают в стеклянные бюксы емкостью 50 мл.

Исследуемые образцы представляют собой ромбические в сечении прямые призмы, выколотые по плоскостям спайности 1101}, или прямоугольные призмы с

квадратными основаниями, ориентированными вдоль Ч00}и {001} плоскостей. Их высота не превосходит 25 мм, а размеры сторон оснований равны в среднем 8 мм. Образцы зажимаются пинцетом с фторопластовыми наконечниками и погружаются в приготовленный трав1 тель на 10-30 с. Затем они вынимаются, споласкиваются в чистом этиловом спирте в продолжении 1-2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора. Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИ-15У4.2 и электронном просвечивающем микроскопе УЭМ-100. Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лишь на поверхностях {J01 j. При лроведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге. I Глубина ямок травления, оцененная по 4 теневому контрасту в электронном микро- - скопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.

f ч

О fO

Влажность воздуха влияет на получение качественных результатов травления. Четкого травления достигают, когда влажность не превосходит 35-40%. В том случае, когда атмосферная влажность выше, травление необходимо проводить в герметичном боксе, снабженном резиновыми рукавами-пер- чаткаМи,с установленными в нем чашками с силикагелем марки АСМ,

При использовании других количественных соотношений компонентов, входящих в предлагаемый травитель, его получение проводится в соответствии с указанным примером. Во всех приготовляющихся растворах осуществляется обработка изготовленных образцов с последующим исследованием их поверхности.

Составы травителя для обработки нитрита натрия и результаты исследований приведены в таблице.

Таким образом, из данных таблицы следует, что предлагаемый травитель в отличие от известного позволяет выявлять выходы дислокаций на поверхностях {101} кристалла. Глубина дислокационных ямок травления составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.

Достоинством предлагаемого травителя является возможность определения дислокационной структуры кристаллов нитрита

натрия после обработки в нем. С его помощью впервые установлено существование дислокационных стенок, расположенных вдоль границ между доменами. Формула изобретения

Травитель для монокристаллов нитрита натрия, содержащий этиловый спирт с добавкой, отличающийся тем, что, с целью выявления дислокаций в кристаллах, в качестве добавки травитель содержит хлорид кальция в количестве 0,05-0,10 мае.%.

Похожие патенты SU1612000A1

название год авторы номер документа
Состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов 1980
  • Головей Михаил Иванович
  • Мудрый Владимир Васильевич
  • Некрасова Ирина Михайловна
  • Тешнеровский Иван Михайлович
SU941434A1
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ 1998
  • Скупов В.Д.
  • Смолин В.К.
  • Кормишина Ж.А.
RU2151445C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ПРОФИЛОМЕТРИИ 2015
  • Третьяков Сергей Андреевич
  • Иванова Александра Ивановна
  • Каплунов Иван Александрович
RU2600511C1
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2014
  • Педько Борис Борисович
  • Сорокина Ирина Ивановна
  • Бойцова Кристина Николаевна
RU2558898C1
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ 1996
  • Скупов В.Д.
  • Смолин В.К.
RU2110116C1
Способ химического травления монокристаллов на основе окиси бериллия 1979
  • Цветков Евгений Геннадьевич
  • Матросов Владимир Николаевич
SU1006552A1
ТРАВИТЕЛЬ 1973
SU369651A1
Способ селективного травления монокристаллов парателлурита 1980
  • Коляго Станислав Степанович
  • Дроздова Ольга Васильевна
  • Аксенова Татьяна Петровна
SU958510A1
Способ определения скрытой дефектности поверхности кристаллов 1980
  • Конышев Владимир Петрович
  • Шарафутдинов Рафаэль Фахрутдинович
SU972339A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРАВЛЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ С ПОМОЩЬЮ АСМ 2016
  • Марков Олег Иванович
  • Хрипунов Юрий Вадимович
RU2645041C2

Реферат патента 1990 года Травитель для монокристаллов нитрита натрия

Изобретение касается исследования дефектной структуры материалов и может быть использовано при производстве приборов, работающих на сегнетоэлектриках. Цель изобретения - выявление дислокаций в кристаллах. Травитель для монокристаллов нитрита натрия содержит этиловый спирт с добавкой 0,05-0,10 мас.% хлорида кальция. 1 табл.

Формула изобретения SU 1 612 000 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1990 года SU1612000A1

Sawada А., Abe R
- Japanese Journal of Applied Physics, 1969
Топка с несколькими решетками для твердого топлива 1918
  • Арбатский И.В.
SU8A1
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Приспособление к тростильной машине для прекращения намотки шпули 1923
  • Чистяков А.И.
SU202A1

SU 1 612 000 A1

Авторы

Иванцов Владимир Александрович

Николаев Владимир Иванович

Даты

1990-12-07Публикация

1989-01-13Подача