Изобретение относится к области исследования дефектной структуры материалов и может быть использовано при произво;}стве приборов, работающих на сегнетоэлектриках.
Цель изобретения - выявление дислокаций в кристаллах.
Пример, Для приготовления состава используют следующие реактивы: этиловый спирт Оси 20-5, кальций хлористый (плавленный) Ч.
В стакан из фторопласта с помощью мерного цилиндра отмеряют 250 мл (99,93 мас.%) этилового спирта, после чего добавляют взвешенный на технических весах первого класса порошок хлорида кальция в количестве 140 мг(0,07 мас.%). Затем состав перемешивают с помощью магнитной мешалки ОР 913/3 в течение 15 мин и разливают в стеклянные бюксы емкостью 50 мл.
Исследуемые образцы представляют собой ромбические в сечении прямые призмы, выколотые по плоскостям спайности 1101}, или прямоугольные призмы с
квадратными основаниями, ориентированными вдоль Ч00}и {001} плоскостей. Их высота не превосходит 25 мм, а размеры сторон оснований равны в среднем 8 мм. Образцы зажимаются пинцетом с фторопластовыми наконечниками и погружаются в приготовленный трав1 тель на 10-30 с. Затем они вынимаются, споласкиваются в чистом этиловом спирте в продолжении 1-2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора. Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИ-15У4.2 и электронном просвечивающем микроскопе УЭМ-100. Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лишь на поверхностях {J01 j. При лроведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге. I Глубина ямок травления, оцененная по 4 теневому контрасту в электронном микро- - скопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.
f ч
О fO
Влажность воздуха влияет на получение качественных результатов травления. Четкого травления достигают, когда влажность не превосходит 35-40%. В том случае, когда атмосферная влажность выше, травление необходимо проводить в герметичном боксе, снабженном резиновыми рукавами-пер- чаткаМи,с установленными в нем чашками с силикагелем марки АСМ,
При использовании других количественных соотношений компонентов, входящих в предлагаемый травитель, его получение проводится в соответствии с указанным примером. Во всех приготовляющихся растворах осуществляется обработка изготовленных образцов с последующим исследованием их поверхности.
Составы травителя для обработки нитрита натрия и результаты исследований приведены в таблице.
Таким образом, из данных таблицы следует, что предлагаемый травитель в отличие от известного позволяет выявлять выходы дислокаций на поверхностях {101} кристалла. Глубина дислокационных ямок травления составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.
Достоинством предлагаемого травителя является возможность определения дислокационной структуры кристаллов нитрита
натрия после обработки в нем. С его помощью впервые установлено существование дислокационных стенок, расположенных вдоль границ между доменами. Формула изобретения
Травитель для монокристаллов нитрита натрия, содержащий этиловый спирт с добавкой, отличающийся тем, что, с целью выявления дислокаций в кристаллах, в качестве добавки травитель содержит хлорид кальция в количестве 0,05-0,10 мае.%.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов | 1980 |
|
SU941434A1 |
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ | 1998 |
|
RU2151445C1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ ПРОФИЛОМЕТРИИ | 2015 |
|
RU2600511C1 |
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ОКСИДНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ОПТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2014 |
|
RU2558898C1 |
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ | 1996 |
|
RU2110116C1 |
Способ химического травления монокристаллов на основе окиси бериллия | 1979 |
|
SU1006552A1 |
ТРАВИТЕЛЬ | 1973 |
|
SU369651A1 |
Способ селективного травления монокристаллов парателлурита | 1980 |
|
SU958510A1 |
Способ определения скрытой дефектности поверхности кристаллов | 1980 |
|
SU972339A1 |
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРАВЛЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛАХ С ПОМОЩЬЮ АСМ | 2016 |
|
RU2645041C2 |
Изобретение касается исследования дефектной структуры материалов и может быть использовано при производстве приборов, работающих на сегнетоэлектриках. Цель изобретения - выявление дислокаций в кристаллах. Травитель для монокристаллов нитрита натрия содержит этиловый спирт с добавкой 0,05-0,10 мас.% хлорида кальция. 1 табл.
Sawada А., Abe R | |||
- Japanese Journal of Applied Physics, 1969 | |||
Топка с несколькими решетками для твердого топлива | 1918 |
|
SU8A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Приспособление к тростильной машине для прекращения намотки шпули | 1923 |
|
SU202A1 |
Авторы
Даты
1990-12-07—Публикация
1989-01-13—Подача