Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления конденсаторной керамики на основе титаната бария.
Целью изобретения является повышение удельного электрического сопротивления и диэлектрической проницаемости стекла.
Шихту для варки стекла составляют из сырьевых материалов марки ч, х.ч., ч.д.а. Стекла варят в корундизовых тиглях в электрической печи КО-14 при 1150+10°С. Выработку расплава осуществляют в холодную воду для получения гранулята, а также в формы для изготовления образцов, необходимых для исследования физико-химических свойств.
В табл. 1 и 2 приведены конкретные составы стекол, а также их физико-химические свойства соответственно.
Данное стекло обладает повышенными значениями диэлектрической проницаемости, что позволяет использовать его в качестве добавок дри изготовлении конденсаторной керамики, которая должна обладать высокими значениями диэлектрической проницаемости. В то же время стекло обладает высокими изоляционными свойствами даже при повышенных температурах.
оэ
1чЭ
СО ГчЭ
о со
Формула изобретения
1629263
содержит Mod
соотношении
содержит Mod
3 и СсЮ при следующем соотношении компонентой, мас.%:
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Стекло | 1987 |
|
SU1446121A1 |
Диэлектрический керамический материал | 1979 |
|
SU789459A1 |
ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ МАТЕРИАЛОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ | 1992 |
|
RU2079916C1 |
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ЛЕГКОПЛАВКОГО ПРИПОЕЧНОГО МАТЕРИАЛА | 1991 |
|
RU2053211C1 |
СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОРНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1992 |
|
RU2035435C1 |
СТЕКЛО ДЛЯ СИТАЛЛОЦЕМЕНТА | 1994 |
|
RU2069199C1 |
Низкотемпературный стеклокерамический материал и способ его изготовления | 2018 |
|
RU2712840C1 |
Стекло для резисторов | 1986 |
|
SU1375587A1 |
ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКЕРАМИЧЕСКОГО КОМПОЗИЦИОННОГО МАТЕРИАЛА | 2018 |
|
RU2722012C2 |
ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 1992 |
|
RU2047584C1 |
Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления конденсаторной керамики на основе титаната бария. С целью повышения удельного электрического сопротивления и диэлектрической проницаемости стекло содержит следующие компоненты, мас.%: SiOe 2,75-3,26; Bu()3 4,79-7,02-, PbO 5,11-6,05; AleOft 2,34-2,76; 50,53-64,06. lloOj 3,30-3,90, CdO 17,65-27,84. Удельное электрическое сопротивление стекла при 350°С 3-109-1,16-10 °0м.см, диэлектрическая проницаемость при 22,07-23,7. 2 табл. СП
Павлушкин Н.М., Журавлев А.К., Легкоплавкие стекла.-М.: Энергия, 1970, с.36 | |||
Стекло | 1987 |
|
SU1414808A1 |
Авторы
Даты
1991-02-23—Публикация
1988-07-19—Подача