Изобретение относится к получению высокочистых материалов для полупроводниковой электроники.
Целью изобретения является повышение эффективности очистки.
Согласно способу очистки ртути, включающему вертикальную направленную кристаллизацию со скоростью 2-25 мм/ч, на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (12-15) 103 А/м
При наложении поля с напряженностью Н 5000 А/м на ламинарный режим движения в жидкой фазе накладывается турбулентность. В интервале (15- 20)-103 А/м происходит резкое изменение характера движения уже в пограничном гидродинамическом слое. Переход через границу, соответствующую критическому числу Рейнольдса при напряженности электромагнитного поля 15000 А/м, приводит к стабилизации значения эффективного коэффициента разделения.
Повышение напряженноеiи выше значения 20000 А/м экономически нецелесообразно, поскольку эффективность очистки не растет.
При значениях Н менее 15000 А/м эффективность очистки падает, поскольку характер движения жидкости меняется на ламинарный и растет толщина пограничного гидродинамического слоя.
Предлагаемый способ позволяет приблизительно на один порядок снизить значение эффективного коэффициента распределения и повысить глубину очистки ртути.
i
На фиг. 1 показана зависимость
КЭтСц от напряженности электромагнитного поля, на фиг. 2 - зависимость величины эффективного коэффициента распределения от концентрации (примеси меди) для различной напряженности магнитного поля: график 1 - при Н 10.-103 А/м, график 2 - при Н 17-103 А/м.
(Л
О5 Јь
ОО 00
Ртуть, предварительно очищенная известным способом, включающим термохимическую обработку и вакуумную ректификацию, и подвергнутая финитно- му кристаллизационному рафинированию с наложением вращающегося электромагнитного ноля, обеспечивает воспроизводимый уровень электрофизических параметров полупроводниковых твердых растворов на основе теллури- да ртути.
Формула изобретения
Способ очистки ртути, включающий вертикальную направленную кристаллизацию со скоростью 2-25 мм/ч, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса очистки, на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20).103 А/м.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ УСКОРЕННОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ПУТЕМ ОХЛАЖДЕНИЯ ЧЕРЕЗ РАСПЛАВ И ВОЗДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ПЕРЕОХЛАЖДЕНИЯ РАСПЛАВА | 2001 |
|
RU2203987C2 |
| Магнитогидродинамический датчик угловой скорости с жидким ферромагнитным ротором | 2019 |
|
RU2772568C2 |
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССАМИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И СЕГРЕГАЦИИ В СЛИТКАХ | 1993 |
|
RU2095493C1 |
| СПОСОБ СНИЖЕНИЯ ГИДРОДИНАМИЧЕСКОГО ТРЕНИЯ | 1994 |
|
RU2133891C1 |
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ РАЗМЕРНЫХ ПАРАМЕТРОВ КАМЕРЫ ЦИНКОВАНИЯ, СНАБЖЕННОЙ УСТРОЙСТВОМ МАГНИТНОГО ОСУШЕНИЯ ОЦИНКОВАННЫХ МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ | 1994 |
|
RU2119971C1 |
| СПОСОБ ЭЛЕКТРОПЛАВКИ В ДУГОВОЙ ПЕЧИ ПОСТОЯННОГО ТОКА | 2005 |
|
RU2293268C1 |
| Электролизер для рафинирования и разделения металлов | 1981 |
|
SU947227A1 |
| СПОСОБ И АППАРАТ ДЛЯ ОЧИСТКИ КРЕМНИЙОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ ОТ ЛЕТУЧИХ КОМПОНЕНТОВ | 2019 |
|
RU2694845C1 |
| Устройство для рафинирования и модифицирования алюминиевых расплавов системы системы алюминий - кремний | 1988 |
|
SU1682409A1 |
| Способ непрерывного литья слитка и плавильно-литейная установка для его осуществления | 2020 |
|
RU2745520C1 |
Изобретение относится к цветной металлургии, в частности к рафинированию ртути. Целью изобретения является повышение эффективности очистки. Способ осуществляется вертикальной направленной кристаллизацией со скоростью 2-25 мм/ч при этом на жидкую фазу воздействуют вращающимся электромагнитным полем с напряженностью (15-20)-1О3 А/м. 2 ил.
an
.
ом50 100 150 2001-ю- 1-кг5 1-ю се, „$
Фие.
Фиг. Z
к
Ф Си
0,08 0,06
0.0ft 0,02
Фиг. Z
| Ниссельсон Л.А., Ярошевский А.Г | |||
| Коэффициенты разделения при дистил- ляционной и кристаллизационной очистке ртути | |||
| - Высокочистые вещества, 1987, № 1, с | |||
| Способ запрессовки не выдержавших гидравлической пробы отливок | 1923 |
|
SU51A1 |
