Устройство для получения полупроводниковых структур Советский патент 1991 года по МПК C30B25/00 

Описание патента на изобретение SU1650799A1

Похожие патенты SU1650799A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ПЛЕНОК СОЕДИНЕНИЙ ТИПА AB 1990
  • Алесковский В.Б.
  • Губайдуллин В.И.
  • Дрозд В.Е.
  • Ахмедов Р.М.
RU2023771C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК С ГЕТЕРОГЕННОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК С ГЕТЕРОГЕННОЙ ГРАНИЦЕЙ РАЗДЕЛА 2010
  • Томаев Владимир Владимирович
RU2436876C1
Технология создания магнитоуправляемого мемристора на основе нанотрубок диоксида титана 2021
  • Гаджимагомедов Султанахмед Ханахмедович
  • Рабаданова Аида Энверовна
  • Рабаданов Муртазали Хулатаевич
  • Палчаев Даир Каирович
  • Мурлиева Жарият Хаджиевна
  • Эмиров Руслан Мурадович
  • Алиханов Нариман Магомед-Расулович
  • Сайпулаев Пайзула Магомедтагирович
RU2756135C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХРЕШЕТОК НАНОКРИСТАЛЛОВ НА ПРОВОДЯЩИХ ПОДЛОЖКАХ 2009
  • Елисеев Андрей Анатольевич
  • Напольский Кирилл Сергеевич
  • Горожанкин Дмитрий Федорович
  • Саполетова Нина Александровна
  • Лукашин Алексей Викторович
  • Лысков Николай Викторович
  • Добровольский Юрий Анатольевич
RU2433083C2
СПОСОБ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА МЕЖДУ МАТЕРИАЛАМИ ИЗ III-V ГРУПП И КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНОЙ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЙ НЕЙТРАЛИЗАЦИЮ ОСТАТОЧНЫХ ДЕФОРМАЦИЙ 2015
  • Бугге Ренато
  • Мюрвогнес Йейр
RU2696352C2
Мишень видикона 1977
  • Захарова Наталья Борисовна
  • Плахов Станислав Афонасьевич
  • Черкасов Юрий Андреевич
  • Ятлинко Ирина Иннокентьевна
SU640384A1
Способ осаждения слоев полупроводниковых соединений типа А @ В @ из газовой фазы 1981
  • Девятых Григорий Григорьевич
  • Домрачев Георгий Алексеевич
  • Жук Борис Витальевич
  • Кулешов Вячеслав Геннадьевич
  • Лазарев Александр Иванович
  • Хамылов Вячеслав Константинович
  • Чурбанов Михаил Федорович
SU1001234A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1991
  • Даданов А.Ю.
  • Перепелица Н.М.
  • Сухобоченко В.Г.
RU2031985C1
Устройство для получения пленок 1989
  • Старостин Иван Архипович
  • Турецкий Александр Евстафьевич
  • Чебаненко Анатолий Павлович
  • Чемересюк Георгий Гаврилович
SU1726572A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ И ОПТИЧЕСКИ НЕЛИНЕЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ 1993
  • Гончарова Ольга Викторовна[By]
  • Демин Андрей Васильевич[Ru]
RU2089656C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 650 799 A1

Реферат патента 1991 года Устройство для получения полупроводниковых структур

Изобретение относится к получению многослойных структур типа сверхрешеток. Цель - повышение производительности и упрощение устройства. Оно содержит реактор с фланцем вверху. В реакторе установлен каркас с закрепленными на нем сетчатыми полками, на которых размещены выдвижные пластины в виде колец, установленных на стержнях с возможностью поворота. На пластины располагают подложки. По оси реактора установлена газоподводя- щая перфорированная трубка. Проводят синтез многослойных структур с толщиной одного слоя 10 нм и общей их толщиной 100 нм на основе соединений ZnSe и CdSe. В устройстве, имеющем 25-ть сетчатых полок, размещают 3150 подложек. 3 ил.

Формула изобретения SU 1 650 799 A1

Изобретение относится к технологии изготовления тонкопленочных материалов и изделий, в частности многослойных структур типа сверхрешеток, различных гетеропереходов на основе полупроводниковых материалов.

Цель изобретения - повышение производительности и упрощение устройства.

На фиг. 1 представлена схема устройства; на фиг. 2 - сечение по А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - выдвижные сетчатые пластины.

Устройство содержит реактор 1, корпус которого изготовлен из нержавеющей стали. Сверху реактор 1-снабжен фланцем 2, в отверстии которого по оси реактора 1 установлена перфорированная трубка 3. соединенная со qpeflCTBOM подачи газов, включающим емкости 4, 5 и 6 с газовыми реагентами. Внутри реактора 1 размещен

каркас 7 с сетчатыми полками 8, расположенными в форме этажерки. Полки 8 снабжены выдвижными сетчатыми пластинами 9, на которых размещены подложки 10.

Устройство работает следующим образом. Подложки 10 размещают на сетчатых пластинах 9, которые представляют собой проволочные кольца, установленные на двух стойках с возможностью поворота. На каждом кольце размещают по семь подложек. В случае, если на стойках установлено три кольца, а на каждую из двадцати пяти сетчатых полок 8 помещают шесть раз по три кольца, то в реакторе, 1 размещают три тысячи сто пятьдесят подложек 10.

После загрузки реактора 1 производят откачку из него аргона с помощью форваку- умного насоса 11, открыв при этом вентили 12, 13, 14. Затем реактор вакуумируют при

помощи диффузионного насоса 15 до давления не выше 1СГ2 Па, при этом закрывают вентиль 14 при открытых вентилях 12, 13 и 16. Отключают форвакуумный насос 11 и напуск в него воздуха, открывают вентиль 14 при закрытом вентиле 16. Синтез многослойной периодически чередующейся структуры на поверхности партии образцов с толщиной каждого слоя по 10 им и общей их толщиной 100 нм на основе соединений селенида цинка и селенида кадмия начинают с напуска металлоорганического соединения цинка, открывая вентиль 17, закрывают его и открывают вентиль 16. Затем подают селенистый водород. Для этого из емкости 5 напускается газ,в трубку 3 открыванием и закрыванием вентиля 18 и открыванием вентиля 19. После напуска селенистого водорода откачивают избыток исходного реагента и газообразные продукты реакции до исходного давления, закрыв вентиль 19 и открыв вентиль 16. Перечисленные операции составляют один цикл химической обработки, за который на поверхности партии образцов синтезируется один монослой селенида цинка (,3 нм). Для достижения необходимой толщины слоя селенида цинка (10 нм) проводится определенное количество таких циклов (34 цикла). Для получения слоя селенида кадмия (10 нм) необходимо провести 40 циклов, оперируя вентилями в том же порядке 20,16

и 18, 19, 16. При открывании вентиля 20 производится напуск металлоорганического соединения кадмия. Вакуумирование проводится до исходного давления в промежутках между напусками. За давлением в системе наблюдают с помощью вакуумметра 21 ВДГ-1 с мембранным датчиком 22. На проведение одного цикла расходуется 2 мин времени, причем синтез проводится на поверхности практически мгновенно, все время затрачивается на открывание и закрывание вентилей и промежуточную откачку. Для получения многослойной структуры на основе селенида цинка и кадмия

общей толщиной 100 им необходимо провести вышеописанные 74 цикла пятикратно. Формула изобретения Устройство для получения полупроводниковых структур, содержащее реактор,

размещенные в нем соосно подложкодер- жатель в форме этажерки с подложками, веотикальную перфорированную трубку, соединенную со средством подачи газовых реагентов, и средство вывода газов, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повышения производительности и упрощения устройства, этажерка сформирована сетчатыми полками, жестко закрепленными на каркасе и снабженными выдвижными сетчатыми пластинами для размещения подложек, а вертикальная перфорированная трубка установлена по оси подложкодержателя.

Фиг. 2

Фие.З

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1991 года SU1650799A1

Авторское свидетельство СССР № 799206, кл
Способ обработки медных солей нафтеновых кислот 1923
  • Потоловский М.С.
SU30A1

SU 1 650 799 A1

Авторы

Алесковский Валентин Борисович

Щекочихин Юрий Михайлович

Губайдуллин Виталий Исмаилович

Алексеев Алексей Валентинович

Румянцева Светлана Михайловна

Дрозд Виктор Евгеньевич

Даты

1991-05-23Публикация

1988-12-20Подача