Изобретение относится к разработке сплавов с прецизионной величиной ТКС, используемых в микроэлектронике для получения тонкопленочных резисторов (ТПР) с поверхностным сопротивлением от десятков до сотен Ом/квадрат.
Цель изобретения - улучшение электрофизических характеристик ТПР путем приблияения к нулю температурного коэффициента сопротивления.
Напыленный аморфный сплав содержит ниобий и свинец в следующем соотношении, ат.%:
Свинец 7,0-18,0
Ниобий Остальное
Способ его получения включает иои- но-плззменное распыление наборных мишеней, состоящих из отдельных статистических равномерно размещенных по поверхности распыления квадратов ниобия и свинца и термообработку полученных пленок рри температуре 673+. ±2JK в течение 30±5 мин.
Ионно-плазменное напыление осуществляют на установке УРМ 3.279.014 при следующих режимах напыления: напряжение на мишени 2 кВ, анодньы ток 1 А, ток разряда 20 мА, время напыления 360 с. Контроль за степенью устойчивости аморфной фазы и составом пленки осуществляют соответственно
О
ел
4
ОЭ 0
316
на дифрактометре ДРЬН-2,0 и с помощью 4-зондового метода измерений поверхностного сопротивления в процессе непрерывного нагрева в вакууме ( Па). В таблице приведены составы сплавов, режимы их термообработки и свойства.
По сравнению с известными предлагаемый сплав для ТПР и способ его получения позволяют понизить значения ТКС в 45-85 раз, что способствует увеличению точности работы изделий и уменьшению габаритных размеров пассивных элементов микросхем.
Формула изобретения
1. Аморфный сплав для тонкопленоч- ных резисторов, содержащий ниобий, 20
с
0
5
0
14
отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических, характеристик за счет приближения к нулю температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит свинец при следующем соотношении компонентов, ат.%:
Свинец7,0-18,0
НиобийОстальное
2. Способ получения аморфного сплава для тонкопленочных резисторов, включающий ионно-плазменное распыление мишеней, состоящих из статистически равномерно размещенных квадратов ниобия и свинца, отличающийся тем, что дополнительно проводят термообработку в вакууме при температуре 673+20 К в течение 30+5 мин.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Аморфный сплав для тонкопленочных резисторов и способ его получения | 1988 |
|
SU1636466A1 |
| Аморфный сплав для тонкопленочных резисторов | 1988 |
|
SU1574663A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ РЕЗИСТИВНЫХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ СПЛАВА ТАНТАЛ - АЛЮМИНИЙ | 1991 |
|
RU2028682C1 |
| Способ изготовления тонкопленочного прецизионного резистора | 2022 |
|
RU2818204C1 |
| Способ изготовления многослойной тонкопленочной гетероструктуры с заданной величиной удельного поверхностного сопротивления | 2020 |
|
RU2750503C1 |
| ШИХТА НА ОСНОВЕ ТИТАНА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МИШЕНЕЙ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1991 |
|
SU1818864A1 |
| Резистивный материал для тонкопленочных резисторов | 1981 |
|
SU1019500A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА | 2005 |
|
RU2297682C1 |
| РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ И МИШЕНЬ ИЗ РЕЗИСТИВНОГО МАТЕРИАЛА | 2006 |
|
RU2323496C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА | 2008 |
|
RU2374710C1 |
Изобретение относится к метал- лчргии а именно к разработке прецизионных сплавов со специальными электрофизическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов. Цель - улучшение электрофизических характеристик за счет приблиления к нулю температурного коэффициента сопротивления. Аморфный сплав на основе ниобия дополнительно содержит свинец при следующем соотнопении компонентов, ат.%: свинец 7-18; ниобий остальное. Способ получения спллра включает ионно-плазмекное распыление миюе- неп, состояния из статистически равномерно размеценшк квадратов ниобия и свинца, и термообработку при 6831.0 К в течение 30±5 мин. Изобретение позволяет понизить температурный коэффициент сопротивления в 45-85 раз до (7-91-10 . 2 с.п. ф-лы, 1 табл. (Ј
| Заявка Японии V 5441700, кл | |||
| Машина для добывания торфа и т.п. | 1922 |
|
SU22A1 |
| Thin Solid Films, 1976, V 1, 38, p.21-35. | |||
