Резистивный материал для тонкопленочных резисторов Советский патент 1983 года по МПК H01C7/00 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к резисторостроению, и может быть использовано в качестве проводящего слоя для тонкоплеиочных резисторов и для элементов схем, полученных методом ионо плазменного напыления.

Известны резистивные материалы на основе тугоплавких металлов и их соединений, применяемые для получения тонких пленок методом-ионнопяазменного напьаления, например , Cr-SiO, .

Однако известные резистивные материалы, разработанные для получения резистивных пленок на ситалловых подложках, не позволяют получать резисторы с необходимыми параметрами по величине удельного сопротивления и температурного коэффи;циента сопротивления ( ТКС ) при металлизации на квазинепрерывных ионноплазменных установках; при металлизации высокоомным сплавом PC получе ны пленки с удельным сопротивлением до 3000 Ом/о при ТКС ±500-10- 1/ОС. Наиболее близким к предлагаемому .по технической сущности к предла гаемому является резистивный матери:ал 2, представляющий собой сплав хрома, вольфрама, кремния и двуокиси марганца, при следующем коли:Чественном соотношении, вес.%: Вольфрам2-15

Кремний . 2-15 Двуокись марганца 2-30 ХромОстальное

Однако получить на основе известной композиции путем изменения содержания компонентов пленки с низким , Т КС в высокоомной областиневозможнсЗ, 40 так как увеличение содержания МпС свыше 30 вес,% ведет при МпО мишеней к значительному образованию интер-металлических .соединений типа силицидов , не обеспечивающих получение ре- 45 зистивной пленки с высокоомным диапазоном. Поэтому резистивный материал при ионно-плазменном распылении позаолит получать резистивные пленки с величиной ТКС +300 id 1/«С при удель- 50 ном сопро.тивлении (р) до 5000 Ом/о, а При более высоких значениях удельjHoro сопротивления ТКС этих пленок ., |возрастает. по абсолютной величине.

Целью изобретения является расширение диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную область при низком значении температурного коэффициента сопротивления пленочных резисторов.

Поставленная цель достигается тем, что в резистивный материал,включающий хром, кремний, вольфрам, и диоксид марганца, дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонент тов, вес.%::

Вольфрам10-20

Кремний15-25

Диоксид марганца 15-30

Диоксид церия .8-36

ХромОстальное

Введение в резистивный материал двуокиси церия - оксида :металла с большим атомным весом позволяет расширить диапазон удельных сопротивлений резистивных пленок, получаемых ионно-плазменным напылением до 12000 Ом/о при низком ( для высокоомного диапазона) ТКС в пределах С150-400) и при сохране-НИИ во всем.диапазоне высокой стабильности их свойств во времени при температуре окружающей среды от -60 до +155°С,

Пример. Для получения мишеней из резистивного материала готовят четыре порошкообразные смеси.

В табл. 1 приведен состав предла гаемой смеси.

Мишени для ионно-плазменного распы.ления предлагаемого резистивного материала получены прессованием портапковой шихты со связкой поливинилового спирта и дальнейшим спеканием спрессованных мишеней в водороде при 11501200С.

Характеристики резистивныхпленок, полученных распылением мишеней из предлагаемого резистивного материала представлены в табл. 2.

Полученные из предлагаемого резистивного материала резистивные плен;ки имеют более высокие значения удель ,ного сопротивления (1210 Ом/о по сравнению с пленками из известного ма териала, т.е. получены резистивные пленки с низким ТКС(± 400«lO l/ C в высокоомном диапазоне значений удельного сопротивления.

Удельное сопротивление,

Смесь f Ом/о

200-1000 1500-4000 1700-5000 8000-12000

Таблица 2

TKC.icr i/ic

от -70 до +150 от -150 до +100 от -140 до +150 от -220 до +500

РЕЗИСТИВНКЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий хром, вольфрам, кремн:Ий и ди:оксид марганца, отличаюМ и и с я тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления в высокоомную часть при низком значении температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит диоксид церия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%: Вольфрам 10-20 Кремний15-25 Диоксид марганца 15-30 Диоксид церия8-36 ХромОстальное