Способ получения оптического элемента Советский патент 1991 года по МПК C30B23/02 C30B29/48 

Изобретение относится к ИК-технике и технологии получения оптических материалов, прозрачных в видимой и инфракрасной областях спектра.

Цель изобретения - повышение надежности защиты элемента при работе в неблагоприятных погодных условиях.

П р и м е р. В контейнер загружают сырье - тонкодисперсный или гранулированный (таблетированный) сульфид цинка, закрывают его графитовой крышкой и устанавливают в печь для прокалки в вакууме мм рт.ст. или инертной среде (аргон) при 1100°С в течение 0,5 ч. затем печь охлаждают, с контейнера снимают графитовую крышку и вместо нее устанавливают полированную подложку - пластину из поликристаллического селенида цинка с поверхностью, обработанной до ,05. Печь закрывают, вакуумируют и средствами нагрева создают условия испарения и конденсации: температуру испарения 1080°С,

температуру подложки 850°С, скорость конденсации 0,075 мм/ч (скорость конденсации подбирается и управляется экспериментально). По истечении 20 ч, осаждения защитного слоя из сульфида цинка печь охлаждают, извлекают контейнер, а из него - пластину селенида цинка с нанесенным слоем сульфида цинка толщиной 1,5 мм. После механической обработки (шлифовки, полировки) толщина защитного слоя составляет 0,5 мм.

Свойства заготовок двухслойного оптического материала на основе селенида цинка и сульфида цинка представлены в таблице.

Изготовленный по предлагаемому способу конструкционный оптический элемент в виде диска диаметром 350 мм и толщиной 18 мм с защитным слоем из сульфида цинка толщиной 0,5 мм прозрачен в видимой и инфракрасной областях спектра: пропускаО vj 00 Ю Ю О

ние при Я 0,63; 1,06 и 8-12 мкм составляет 55; 63 и 70% соответственно. Микротвердость защитного слоя составляет 220-250 кГс/мм2, Деталь, изготовленная из такого оптического элемента, удовлетворяет конструкционным требованиям, предъявляемым к оптическим приборам, работающим в жестких условиях эксплуатации.

Формула изобретения Способ получения оптического элемента, включающий нанесение на нагретую полированную подложку покрытия путем

вакуумного испарения предварительно прокаленного сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности защиты элемента при работе в неблагоприятных погодных условиях, в качестве материала подложки используют поликристаллический селенид цинка, прокаливание ведут при температуре на 20-50°С выше температуры испарения в течнеие 30-60 мин, а нанесение покрытия проводят со ско- ростью 0,02-0,10 мм/ч при температуре испарения сульфида цинка 1000-1080°С и температуре подложки 650-850°С.

Изобретение относится к технологии получения оптических материалов и может быть использовано в ИК-технике. Цель изобретения - повышение нэдехности защиты элемента при работе в неблагоприятных погодных условиях. Способ включает прокалку исходного сульфида цинка в течение 30-60 мин при температуре на выше температуры его последующего испарения нанесение защитного слоя путем вакуумного испарения со скоростью 0,02-0,1 мм/ч на полированную нагретую до 6ЬО-850°С подложку из поликристаллического селенида цинка при температуре испарения сульфида цинка, 1000-1080°С. 1 табл.