Известными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, отжигают, и дальнейшее охлаждение ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами кристаллы не обладают свойством поглощать ультразвук в заданной степени.
Предлагаемый способ отличается от известных тем, что в расплав, из которого выращивают кристаллы, вводят примеси галоидных солей двухвалентных металлов, содержащих тот же анион, и охлаждение кристаллов после отжига ведут с переменной скоростью.
Для пояснения сущности предлагаемого способа приведен пример получения кристалла NaCl.
В расплав, из которго выращивают кристаллы, вводится примесь SrCig.
После окончания выращивания кристалла
(при Т Т„л) и охлаждения со скоростью 10 град/час до температуры - - - 100°С его отл игают около двух суток при ТотжЗатем следует медленное охлаждение со скоростью 10 град/час до 500°С, после чего скорость охлаждения увеличивают или уменьшают в зависимости от заданной степени поглощения ультразвука и при достижении
250°С дальнейшее охлаждение ведут практически мгновенно.
Предмет изобретения
Способ получения охелочногалоидных кристаллоБ выращиванием их из расплава и последующей термообработки, отличающийся тем, что, с целью придания кристаллу свойства поглощать ультразвук в заданной степени, в расплав вводят примеси галоидных солей двухвалентных металлов, и охлаждение кристалла после отжига осуществляют с переменной скоростью.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ СОЕДИНЕНИЙ | 2006 |
|
RU2299280C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЦЕЗИЯ ИЗ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ РАСТВОРОВ-РАСПЛАВОВ | 2008 |
|
RU2367729C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ СОЕДИНЕНИЙ | 1999 |
|
RU2164267C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО | 1999 |
|
RU2143015C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ | 1981 |
|
SU1028100A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКРАШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ | 1991 |
|
RU2065414C1 |
Способ выращивания монокристаллов высокотемпературного сверхпроводника В @ S @ С @ С @ О @ | 1990 |
|
SU1772222A1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ CdZnTe, где 0≤х≤1 | 2005 |
|
RU2330126C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ-СЦИНТИЛЛЯТОРОВ НА ОСНОВЕ ИОДИДА НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2006 |
|
RU2338815C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ РУБИДИЙ-ВИСМУТОВОГО МОЛИБДАТА | 2013 |
|
RU2542313C2 |
Даты
1965-01-01—Публикация