СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ШОТТКИ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/265 

Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×10⁴Вт/м², а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·10⁵ Вт/м².