ТИГЕЛЬ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Советский патент 1965 года по МПК B01L3/04 B01D9/00 

Изобретение относится к области химии выращивания кристаллов материалов, образующих окисную пленку на поверхности расплава. В настоящее время для выращивания кристаллов применяют тигли без дополнительной внутренней камеры. В тиглях такой конструкции трудно выращивать кристаллы материалов, образующих окисную пленку расплава, например препятствующую росту кристалла кристаллов антимонида галлия. Цель изобретения - обеспечить возможность отделения окисной пленки от расплава материала. Достигается это тем, что предло женный тигель выполнен с дополнительной камерой, сообщающейся с полостью тигля при помощи канала, запираемого штоком. На чертеже представлен тигель в разрезе. На период расплавления материала в тигле канал 1 запирается штоком 2, л естко закрепленным в верхней части вне объема тигля, и дополнительная камера 3 отделяется от основной камеры тигля. Таким образом, расплав в дополнительную камеру не поступает. После расплавления материала и образования окисной пленки на поверхности расплава тигель опускается, канал, соединяющий камеры, открывается, и свободный от окисной пленки расплав перетекает в дополнительную камеру, где происходит процесс выращивания монокристалла. Предмет изобретения Тигель для выращивания кристаллов из расплава, например антимонида галлия, отличающийся тем, что, с целью отделения окисной пленки от расплава, внутри тигля помещена камера, сообщающаяся с полостью тигля в донной частн при помощи канала, запираемого штоком.