Электролит для гальванического осаждения медного покрытия Советский патент 1991 года по МПК C25D3/38 

Осаждение меди производится в диапазоне плотностей тока 0,1-8 А/дм2. Чистота поверхности оценивается с помощью профилограф профилометра Калибр-201. Коэффициент бокового разрастания оцени- вается с помощью микроскопа БИОЛАМ-М и МИС-11. Состояние поверхности (внешний вид) оценивается с помощью микроскопа МБС-9. Для приготовления электролита используются компоненты марки Ч и ХЧ вода-деионизованная.

Медное покрытие толщиной не мене 15 мкм осаждается на образцы из ситалла (бо- росиликатное стекло 60 х 48 мм чистотой поверхности 4 с предварительно нанесен- ной вакуумно-плавленным методом плен- кой меди толщиной 1 мкм),

Исходя из данных табл. 2, наличие в составе электролита добавок парамолибда- та или паравольфрамата аммония дает воз-

можность получать осадки меди с высоким, классом чистоты поверхности v 12 - -14 в,

широком диапазоне плотностей тока 0,1-8 А/дм , низким коэффициентом бокового разрастания 0,21 - 0,41, без увеличения удельного сопротивления и без следов локального растворения меди при низких (0,1 - 1 А/дм2) плотностях тока.

Формула изобретения Электролит для гальванического осаждения медного покрытия, содержащий сернокислую медь, серную кислоту и окислитель, о т- личающийся тем, что, с целью получения покрытий с высоким классом чистоты поверхности при низких плотностях тока, он в качестве окислителя содержит парамолибдат или паравольфрамат при следующем содержании компонентов, г/л; сернокислая медь 100 - 250; серная кислота 70 -250; парамолибдат или паравольфрамат аммония 5-20.

Изобретение относится к гальванотехнике, в частности к сернокислым электролитам меднения, и может быть использовано Изобретение относится к гальванотехнике, в частности к сернокислым электролитам меднения, и может быть использовано, при изготовлении функциональных проводящих медных покрытий гибридных интегральных микросхем. Цель изобретения - получение покрытий с высоким классом чистоты поверхности при низких плотностях тока. Согласно изобретению электролит содержит, г/л: сернокислую медь 100 - 250; серную кислоту 70 - 250; парамолибдат или паравольфрамат аммония 5 - 20. В качестве окислителя, который переводит осаждаемую на катоде медь в одновалентное состояние (не достигая двухвалентного состояния), используется парамолибдат или паравольфрамат аммония. Введение одной из этих добавок обеспечивает получение блестящих осадков меди при плотностях тока 0,1 - 0,1 А/дм2 без какого-либо наблюдапри изготовлении функциональных проводящих медных покрытий гибридных интегральных микросхем. Целью изобретения является получение покрытий с высоким классом чистоты поверхности при низких плотностях тока. Электролит для гальванического осаждения медного покрытия содержит, г/л: сернокислую медь 100 - 250, серную кислоту 70 - 250, парамолибдат или паравольфрамат аммония 5 - 20. Введение в состав электролита в качестве окислителя парамолибдата или паравольфрамата аммония способствует осаждению покрытий со средней высотой микронеровностей 0,079 - 0,065 (г12 ) при низких плотностях тока 0,Я - 1 А/дм без локального растворения меди.2 табл. емого локального подтравливания покрытия. Снижение концентрации парамолибдата или паравольфрамата аммония ниже 5 г/л существенно уменьшает блеск и мало устраняет шероховатость покрытия. Напротив, увеличение концентрации названных добавок выше 20 г/л приводит к малой их устойчивости в растворе (образование молибденовой сини для парамолибдата). Это связано с тем, что с ростом концентрации парамолибдата в растворе требуется повышенная концентрация серной кислоты. Однако ее предел ограничен высаливающим эффектом сульфат-иона, снижающего растворимость медного купороса. В табл. 1 приведены данные о химическом составе электролита. Примеры практического испытания предлагаемого и известного электролитов приведены в табл. 2. w Ј о о о ел 00

Та бл и ца1

Таблица