СПОСОБ МАТИРУЮЩЕЙ ДЕФОРМАЦИИ В ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИИ Советский патент 1965 года по МПК G03G5/08 G03G13/22 

Известный способ матирующей деформации для визуализации скрытого электрофотографического изобрал:ения не устраняет нагрев фотополупроводника или воздействие на него концентрированных паров растворителя, а также увеличивает расход необходимого фоточувствительного материала.

В предлагаемом способе матирующей деформации для визуализации скрытого электрофотографического изображения указанные недостатки устраняются в результате нанесения слоя изолятора па отдельную от фотополупроводника подложку.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства для осуществления предлагаемого способа.

Приемный слой (носитель электростатического изображения) состоит из основы (тонкой пластмассовой ленты /), нанесенного на нее металлического слоя 2 толщиной 0,5- 1 мк и пленки изолятора 3 (термопластическая пластмасса толщиной 3-5 мк), обладающей свойством размягчаться под действием нагрева или концентрированных паров растворителя. В момент прижатия приемного слоя к фотополупроводниковому слою 4 (слой аморфного селена или селенида кадмия толщиной 30-50 мк) между прозрачным контактом 5 (например, пленка двуокиси олова

с поверхностным сопротивлением 200- 1000 ом) и металлическим слоем 2 прикладывается напряжение (600-1000 в) и одновременно производится экспонирование через прозрачную подложку 6 (например, стеклянную). При этом электростатическое изображение переносится со слоя фотонолупроводника на слой изолятора. После отделения от фотополупроводникового слоя приемный слой

проходит последовательно через головку проявления 7 (зона нагрева или обработки концентрированными парами растворителя), где образуется микрорельеф, и головку фиксации 8 (зона охлаждения или сушки изолятора), где микрорельеф затвердевает.

Предмет изобретения

Способ матирующей деформации в электрофотографии для визуализации скрытого электрофотографического изображения, отличающийся тем, что, с целью устранения нагрева фотополупроводника или воздействия на него

концентрированных паров растворителя и уменьщепия количества необходимого фоточувствительного материала, слой изолятора наносится на отдельную от фотополупроводника подложку.