Способ электрошлакового переплава расходуемого электрода в охлаждаемом кристаллизаторе Советский патент 1992 года по МПК C22B9/18 

-Ј

Boffa

-R3X

е

1сл

TTTTT

/ / I 1

/ I И

/ I

I

U

1

1сл

л

6 +

М

о -

о

00

о

СЛ

VJ

vsr

1Ш

SJLV51 оЯ - -

Изобретение относится к металлургии и может быть использовано в электрометаллургической промышленности при производстве высококачественных сталей и сплавов электрошлаковым переплавом (ЭШП). Целью изобретения является повышение качества слитка и долговечности кристаллизаторов за счет исключения пробоев. По ходу плавки регулируют соотношение токов, протекающих в цепях электрод 3 - слиток 5 - поддон 1 и электрод 3 - кристаллизатор 2 - поддон 1 путем изменения сопротивления 4 цепи электрод 3 - кристаллизатор 2 - поддон 1. Соотношение токов регулируют с помощью переменного сопротивления, включенного в дополнительную цепь кристаллизатор 2 - поддон 1. Между слитком 5 и кристаллизатором 2 устанавливают разность потенциалов, не пре- вышающую величины, при которой образуется пробой. Процесс ведут на постоянном токе обратной полярности. Соотношение токов в цепях и разности потенциалов устанавливают на основании электротехнических измерений. 4 з.п.ф-лы, 2 ил. J (Л С

Фиг 1

Изобретение относится к металлургии и может быть использовано в электрометаллургической промышленности при производстве высококачественных сталей и сплавов электрошлаковым переплавом.

Известен способ электрошлакового переплава расходуемого электрода в охлаждаемом кристаллизаторе.

Недостатком его является случайное то- кораспределение в шлаковой ванне, что приводит к изменениям характера кристаллизации слитка, а также влияет на ход металлургических процессов. Исключение кристаллизатора из систем электрод-поддон путем изоляции его от поддона приводит к образованию дефектов слитков, т.е. пробоя.

Целью изобретения является повышение качества слитка и долговечности кристаллизаторов за счет исключения пробоев.

Это достигается тем, что в способе элек- трошлакрвого переплава расходуемого электрода в охлаждаемом кристаллизаторе по ходу плавки регулируют соотношение токов, протекающих в цепях электрод-слиток- поддон и электрод-кристаллизатор-поддон, путем изменения электросопротивления цепи электрод-кристаллизатор-поддон, при этом соотношение токов регулируют с помощью переменного сопротивления, включенного в дополнительную внешнюю цепь кристаллизатор-поддон, между слитком и кристаллизатором устанавливают разность потенциалов, не превышающую величины, при которой образуется пробой, процесс ведут на постоянном токе обратной полярности, соотношения токов в цепях и разности потенциалов устанавливают на основании электротехнических измерений.

На фиг. 1 показана схема ведения процесса ЭШП; на фиг. 2 - график зависимости обессеривания металла - от соотношения токов -:- при эл const, эл

Способ осуществляют следующим образом,

На поддон 1 устанавливают охлаждаемый кристаллизатор 2, в который вводят расходуемый электрод 3, Между электродом, кристаллизатором и поддоном имеется внешняя цепь с регулируемым переменным сопротивлением 4, включенным между кристаллизатором и поддоном.

По ходу плавки регулируют соотношение токов, протекающих в цепях электрод 3 -слиток5-поддон 1 и электрод3-кристал0

5

лизатор 2 - поддон 1, путем изменения сопротивления 4 в цепи электрод- кристаллизатор - поддон. Между слитком 5 и кристаллизатором 2 устанавливают разность потенциалов, не превышающую величины, при которой образуется пробой. Процесс ведут на постоянном токе обратной полярности. Соотношения токов в цепях и разности потенциалов устанавливают на основании электротехнических измерений. Зависимость обессеривания металла от соотношения токов -р установлена при плав1эл

ке в кристаллизаторе с 70 мм; 18

5

0

5

0

5

0

мм; Ьл 1150 А; 11Шп 30 В.

Изменение токораспределения в шлаковой ванне в сторону увеличения соотношения позволяет наряду с увеличением

эл

0 обессеривания металла получить хорошо сформировавшийся слиток с направленной кристаллизацией, чистый от газов и неметаллических включений, без дефектов типа пробой и повысить долговечность кристаллизаторов.

Формула изобретения

5

/%sj

о jf%Sj % Sjc/7

0,040

0,030

%&

с

0,020

0, Of О

20 40 60 Фие. 2

%3

9/Г

-4%$1

60 /Ь 1/й7;% I у/г