СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/205 

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления их рекристаллизации в направлении, нормальном к поверхности подложки, проводят дополнительный отжиг подслоя и каждого последующего слоя при температуре осаждения поэтапно, последовательно выполняя после отжига при давлении не более 13,3 Па отжиг в кислороде при давлении 25-75 Па в течение 2-10 мин и завершающий отжиг при давлении не более 13,3 Па, причем время проведения отжига при давлении не более 13,3 Па и завершающего отжига равны и составляют 5-10 мин.