СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ПОДЛОЖКУ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/205

Похожие патенты SU1484193A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ	1988	Турцевич А.С. Красницкий В.Я. Лесникова В.П. Кабаков М.М. Гранько В.И.	SU1584641A1
Способ получения пленок поликристаллического кремния	1979	Сухов М.С. Гридчина Е.П.	SU845680A1
Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния	1991	Турцевич А.С. Красницкий В.Я. Козлов А.Л. Лесникова В.П. Наливайко О.Ю. Кастрицкий Л.В.	SU1780461A1
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния	1988	Турцевич А.С. Красницкий В.Я. Лесникова В.П.	SU1568798A1
Способ формирования пленки нитрида кремния	1990	Турцевич Аркадий Степанович Красницкий Василий Яковлевич Петрашкевич Валерий Францевич Химко Георгий Антонович Корешков Геннадий Анатольевич Сарычев Олег Эрнестович	SU1718302A1
СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ	1989	Турцевич А.С. Лесникова В.П. Гранько В.И. Семенов Л.Г.	SU1597019A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ	1982	Манжа Н.М. Ячменев В.В. Кокин В.Н. Сулимин А.Д. Шурчков И.О.	SU1111634A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПЛАНАРНОЙ СТОРОНЕ СТРУКТУРЫ С ЛОКАЛЬНЫМИ ОБЛАСТЯМИ НИЗКОЛЕГИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ АВ	1993	Минеева М.А. Муракаева Г.А.	RU2084988C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ	2000	Манжа Н.М.	RU2191847C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОДИФИЦИРОВАННЫХ СЛОЕВ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ (ВАРИАНТЫ)	1993	Репинский С.М. Васильева Л.Л. Ненашева Л.А. Дульцев Ф.Н.	RU2077751C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВУЮ ПОДЛОЖКУ

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции осаждения и отжига, причем отжиг подслоя и каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па.

SU 1 484 193 A1

Авторы

Турцевич А.С.

Красницкий В.Я.

Шкут А.М.

Крищенко А.П.

Лесникова В.П.

Даты

2012-03-20—Публикация

1987-09-14—Подача