Способ антистатической обработки фотографических материалов Советский патент 1993 года по МПК G03C11/06 

fe

Использование: антистатическая обработка пленочных кинофотоматериалов. Сущность: фотоматериал обрабатывают в водно-спиртовом растворе фторсодержа- щего ПАВ формулы RfZQ, где Rf - CnFin-M при Z-CO, n - 6; 8; Rf-C2F5OCF2CF(CF3)OCF2CF2 при Z - S02; Q-NHtCH UCH cf при Z - СО, S02; u-NHlCH jN(CHi Апри Z - СО; А - СН2СОО-, СзНеЗОз ; О - NH4 при Z-COO, Rf-CnF2tvn; Q-NH4 при Z-ЗОэ, Rr C2F50CF2CF(CF3)6CF2CF2, с последующей сушкой. 1 табл.

Изобретение относится к фотографическим материалам и может быть использовано при изготовлении черно-белых, цветных и спектрозональных фотоматериалов.

Известен способ антистатической обра- ботки фотоматериала в растворе фтррсодер- жащего поверхностно-активного вещества

Обработка фотопленки типа 42 в известном фторсодержащем поверхностно-активном веществе общей формулы H(CF2CF2)nCH20H, где п 1-3, и последующие ее испытания (см. пример 1 и таблицу) показали неудовлетворительно низкие антистатические свойства фотопленки, что приводит в процессе эксплуатации к засветке светочувствительного слоя следами разрядов статического электричества.

Цель изобретения - улучшение антиста- тических свойств фотографического материала.

Цель достигается тем, что в способе антистатической обработки поверхности материала фторсодержащим поверхностно- активным веществом в отличие от известного обработку материала производят в 0,5-1,0%-ном спиртовом растворе фторсо- держащего вещества общей формулы

RfZQ, где Rf - CnF2n-n при Z - СО, п 6; 8;

Rf - C2F50CF2CF(CF3)OCF2CF2 при Z - S02;

npnZ - CO, S02; при Z - СО,

Q-NHlCH jNlCH)iCf

Q-NH(CH2)jN(CHj)j А

SJ

Ю

СО

43

00

А-СН2СОО-СзНб50з ;

Q - NH4 при Z - COO. Rr-CnF2n+l,

Q-NH4

при Z - S03Rf C2F50CF2CF(CF3)OCF2CF2. с последующей сушкой.

Для экспериментальной проверки предлагаемого способа фотографические материалы тип 42, ТУ б-17-1191-87, тип СН- 10 ТУ 6-17Н001-86, тип 38 ТУ 6-17-1419-87 были подвергнуты обработке в спиртовых растворах фторсодержэщих поверхностно- активных веществ общей формулы I.

Обработанные антистатиком образцы материалов были подвергнуты испытаниям. в результате которых определяли антистатические свойства фотоматериалов: элект- ризуемость - определяемая величиной заряда и временем стекания заряда со стороны контрслоя и со стороны эмульсии, и фотографические: светочувствительность So,2, коэффициент контрастности у .оптическая плотность вуали.

Результаты испытаний приведены в таблице.

Пример 1 (прототип). Фотографический материал тип 42, ТУ 6-17-1191-87 про пускают через кювету с 1 %-ным спиртовым раствором вещества H(CFaCF2)nCH20H, где , при температуре 20±2°С в течение 1 мин с последующей сушкой в течение 5 мин

призо°с. :

П р и м е р 2. Фотографический материал тип 42 ТУ 6-17-1191-87 пропускают через кювету с 0,5%-ным спиртовым раствором вещества формулы

C8FnCOKHC3H6N( |

:С2Н ОН . при 20±2°С в течение 1 мин с последующей сушкой в течение 5 мин при 30°С.

При р 3. Фотографический материал тип СН-10 ТУ 6-17-1001-86 пропускают через кювету с 1 %-ным спиртовым раствором вещества формулы

CjFjOCF CF FjIOCFjCFjSOjVJHlCHjljNCCH i cr

при 20±20С в течение 1 мин с последующей сушкой в течение 5 мин при 30°С.

Пример 4. Фотографический материал тип 38 ТУ 6-17-1419-87 пропускают через кювету с 0,8%-ным спиртовым раствором вещества формулы

C6FUCONHC3H6N (СНз) г СГ

снгснгон

Пример 5.,Фотографический материал тип СН-10 ТУ 6-17-1001-86 пропускают через кювету с 1,0%-ным спиртовым раствором вещества формулы

CsFi7COONH4

при 20±2°С в течение 1 мин с последующей сушкой в течение 5 мин при 30°С.

При м е р 6. Фотографический материал тип 42 ТУ6-17-1191-87 пропускают через кювету с 1,2%-ным раствором вещества формулы

C6FnCONHC5H6N(CH3V

3снгсосг

при 20±2°С в течение 1 мин с последующей сушкой в течение 5 мин при 30°С. При м е р 7. Фотографический материал тип 38 ТУ6-17-1419-87 пропускают через кювету с 1,0%-ным спиртовым раствором вещества формулы

C2F50CF2CF(CF3)OCF2CF2S03NH4

при 20±2°С в течение 1 мин с последующей сушкой в течение 5 мин при 30°С.

Пример 8. Фотографический мате- риал тип СН-10 ТУ6-17-1001-86 пропускают через кювету с 0,75%-ным спиртовым раствором вещества формулы л.

сЈъ™ЈъНьу(Ыдг

СзНб при 20±2°С в течение 1 мин с последующей сушкой при 30°С в течение 5 мин.

П р и мер 9. Фотографический материал тип 42 ТУ6-17-1191-87 пропускают через кювету с 0,3%-ным спиртовым раствором вещества Формулы

C8Fl7COKHC3H6N(

/

при 20±2°С в течение 1 мин с последующей сушкой в течение 5 мин при 30°С.

Из сравнения электрических показателей фотографических материалов, обрабо- танных предложенным и известным

фторсодержащими поверхностно-активными веществами следует, что фотографические материалы любого типа, обработанные предложенными способом и предложенным фтбрсбдержащйм поверхно.стно-эктивным

веществом, обладают более высокими антистатическими свойствами: меньшей величиной зарядки и более быстрым стеканием электрического заряда с поверхности пленки. Оптимальной концентрацией спиртового раствора предложенного фторсодержащето поверхностно-активного вещества является 0,5-1 %. Приуменьшении или увеличений концентрации антистатические свойства имеют тенденцию к уменьшению..

Фотографические свойства фотографических материалов при обработке не изменились.

Формула изобретения Способ антистатической обработки фотографических материалов, заключающийся в обработке поверхности материала в растворе фторсодержащего поверхностно- активного вещества, отличающийся тем, что, с целью улучшения антистатических свойств, обработку материала производят в 0,5-1,0%-ном спиртовом растворе фторсодержащего поверхностно-активного вещества общей формулы

RfZQ,

где Rf CnF2n+i при , n 6; 8; Rf C2F5OCF2CF(CF3)OCF2CF2 при Z - S02;

Q-NH(CH2)3N(CH3)2cf

при Z CO; S02;

а-ш1сн2)3ы(сн3)2

Апри z со.

А СН2СОО-; СзНеЗОз ; Q NH4 npnZ COO, Rf CnF2n+i; Q NH4npnZ S03, Rf - C2F50CF2CF3)OCF2CF2, с последующей сушкой.