Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А @ В @ Советский патент 1993 года по МПК C30B19/06 C30B29/48 

Описание патента на изобретение SU1798397A1

Изобретение относится к технологии получения материалов твердотельной электроники, а точнее к технологии осаждения тонких полупроводниковых слоев, и может быть использовано при изготовлении приборов и устройств полупроводниковой, оп- тоэлектронной и интегральной оптики.

Целью изобретения является расширение диапазона получаемых соединений и их твердых растворов и упрощение процесса.

На чертеже представлен температурный цикл осаждения слоев по предлагаемому способу.

Область I показывает процесс синтеза выращиваемого соединения из отдельных компонентов в растворителе и растворение синтезированного соединения в растворителе. Область II: в печь помещают ампулу с синтезированным и диспергированным соединением и лодочкой с подложками. Осуществляют нагрев до температуры синтеза, затем охлаждение до температуры эпи1 ак- сии. Область III показывает сам процесс эпитаксии. Раствор приводят в контакт с подложками и одновременно начинают охлаждение печи со скоростью 0,5-1,0°С/мин на 100-150°С. В конце цикла (область IV) печь возвращают в первоначальное положение, при этом расплав сливают с подложки, ампулу извлекают из печи. После охлаждения ампулы до комнатной температуры, подложку с осажденным слоем извлекают из ампулы и промывают дистиллированной водой или спиртом для удаления с поверхности выращенного слоя остатков растворителя.

Изобретение может быть реализовано следующим образом.

Берут навески Zn, Те, Se из расчета получения твердого раствора, например состаXJ

ю

00

СА) Ю

4

Похожие патенты SU1798397A1

название год авторы номер документа
Способ осаждения слоев теллурида цинка 1976
  • Симашкевич А.В.
  • Циуляну Р.Л.
  • Чукова Ю.П.
SU625509A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ZNCU IN VI 2003
  • Гременок Валерий Феликсович
  • Зарецкая Елена Петровна
  • Залесский Валерий Борисович
RU2236065C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ PbSnSe МЕТОДОМ ИОННОГО ОБМЕНА 2013
  • Марков Вячеслав Филиппович
  • Смирнова Зинаида Игоревна
  • Маскаева Лариса Николаевна
RU2552588C1
Фоточувствительное устройство и способ его изготовления 2018
  • Котляр Константин Павлович
  • Кукушкин Сергей Арсеньевич
  • Лукьянов Андрей Витальевич
  • Осипов Андрей Викторович
  • Резник Родион Романович
  • Святец Генадий Викторович
  • Сошников Илья Петрович
  • Цырлин Георгий Эрнстович
RU2685032C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ 2015
  • Козюхин Сергей Александрович
  • Варгунин Александр Иванович
  • Шерченков Алексей Анатольевич
  • Лазаренко Петр Иванович
  • Бабич Алексей Вальтерович
RU2610058C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО КРЕМНИЕВУЮ ПОДЛОЖКУ С ПЛЕНКОЙ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА ЕЕ ПОВЕРХНОСТИ 2005
  • Гордеев Сергей Константинович
  • Корчагина Светлана Борисовна
  • Кукушкин Сергей Арсеньевич
  • Осипов Андрей Викторович
RU2286617C2
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Cu(In, Ga)(S, Se) ТОНКИХ ПЛЕНОК 2007
  • Зарецкая Елена Петровна
  • Гременок Валерий Феликсович
  • Залесский Валерий Борисович
RU2347298C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ 2012
  • Грибов Борис Георгиевич
  • Зиновьев Константин Владимирович
  • Калашник Олег Николаевич
  • Минаждинов Максут Сафиулович
  • Суханов Валерий Николаевич
  • Шевякова Лидия Николаевна
  • Щёлокова Альбина Фёдоровна
RU2497753C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ 2006
  • Кукушкин Сергей Арсеньевич
  • Осипов Андрей Викторович
  • Гордеев Сергей Константинович
  • Корчагина Светлана Борисовна
  • Беляев Алексей Петрович
  • Рубец Владимир Павлович
RU2330352C1
Метод получения стабилизированных линейных цепочек углерода в жидкости 2019
  • Кутровская Стелла Владимировна
  • Кучерик Алексей Олегович
  • Скрябин Игорь Олегович
  • Осипов Антон Владиславович
  • Самышкин Владислав Дмитриевич
RU2744089C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 798 397 A1

Реферат патента 1993 года Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А @ В @

Использование: твердотельная электроника. Способ включает синтез полупроводникового соединения из исходных элементов в присутствии соли растворителя при их нагреве в двухсекционной запаянной ампуле (А). После синтеза А разгерметизируют, во вторую секцию загружают подложку, снова запаивают А и проводят выращивание эпитаксиального слоя путем поворота А, заливки раствора-расплава на подложку и его охлаждения. Получают слои соединений А Вь и их твердых растворов широкого диапазона составов. Отпадает необходимость предварительного синтеза. 1 ил.

Формула изобретения SU 1 798 397 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1993 года SU1798397A1

Устройство для ввода информации 1988
  • Мацкевич Олек Николаевич
SU1520500A1
Способ осаждения слоев теллурида цинка 1976
  • Симашкевич А.В.
  • Циуляну Р.Л.
  • Чукова Ю.П.
SU625509A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Планшайба для точной расточки лекал и выработок 1922
  • Кушников Н.В.
SU1976A1

SU 1 798 397 A1

Авторы

Никорич Валентина Захаровна

Симашкевич Алексей Васильевич

Соболевская Раиса Леонидовна

Сушкевич Константин Дмитриевич

Даты

1993-02-28Публикация

1990-05-08Подача