Изобретение относится к технологии получения материалов твердотельной электроники, а точнее к технологии осаждения тонких полупроводниковых слоев, и может быть использовано при изготовлении приборов и устройств полупроводниковой, оп- тоэлектронной и интегральной оптики.
Целью изобретения является расширение диапазона получаемых соединений и их твердых растворов и упрощение процесса.
На чертеже представлен температурный цикл осаждения слоев по предлагаемому способу.
Область I показывает процесс синтеза выращиваемого соединения из отдельных компонентов в растворителе и растворение синтезированного соединения в растворителе. Область II: в печь помещают ампулу с синтезированным и диспергированным соединением и лодочкой с подложками. Осуществляют нагрев до температуры синтеза, затем охлаждение до температуры эпи1 ак- сии. Область III показывает сам процесс эпитаксии. Раствор приводят в контакт с подложками и одновременно начинают охлаждение печи со скоростью 0,5-1,0°С/мин на 100-150°С. В конце цикла (область IV) печь возвращают в первоначальное положение, при этом расплав сливают с подложки, ампулу извлекают из печи. После охлаждения ампулы до комнатной температуры, подложку с осажденным слоем извлекают из ампулы и промывают дистиллированной водой или спиртом для удаления с поверхности выращенного слоя остатков растворителя.
Изобретение может быть реализовано следующим образом.
Берут навески Zn, Те, Se из расчета получения твердого раствора, например состаXJ
ю
00
СА) Ю
4
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ осаждения слоев теллурида цинка | 1976 |
|
SU625509A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ZNCU IN VI | 2003 |
|
RU2236065C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ ЗАМЕЩЕНИЯ PbSnSe МЕТОДОМ ИОННОГО ОБМЕНА | 2013 |
|
RU2552588C1 |
Фоточувствительное устройство и способ его изготовления | 2018 |
|
RU2685032C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2015 |
|
RU2610058C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО КРЕМНИЕВУЮ ПОДЛОЖКУ С ПЛЕНКОЙ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА ЕЕ ПОВЕРХНОСТИ | 2005 |
|
RU2286617C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Cu(In, Ga)(S, Se) ТОНКИХ ПЛЕНОК | 2007 |
|
RU2347298C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ | 2012 |
|
RU2497753C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ | 2006 |
|
RU2330352C1 |
Метод получения стабилизированных линейных цепочек углерода в жидкости | 2019 |
|
RU2744089C1 |
Использование: твердотельная электроника. Способ включает синтез полупроводникового соединения из исходных элементов в присутствии соли растворителя при их нагреве в двухсекционной запаянной ампуле (А). После синтеза А разгерметизируют, во вторую секцию загружают подложку, снова запаивают А и проводят выращивание эпитаксиального слоя путем поворота А, заливки раствора-расплава на подложку и его охлаждения. Получают слои соединений А Вь и их твердых растворов широкого диапазона составов. Отпадает необходимость предварительного синтеза. 1 ил.
Устройство для ввода информации | 1988 |
|
SU1520500A1 |
Способ осаждения слоев теллурида цинка | 1976 |
|
SU625509A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Планшайба для точной расточки лекал и выработок | 1922 |
|
SU1976A1 |
Авторы
Даты
1993-02-28—Публикация
1990-05-08—Подача