Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А @ В @ Советский патент 1993 года по МПК C30B19/06 C30B29/48 

Изобретение относится к технологии получения материалов твердотельной электроники, а точнее к технологии осаждения тонких полупроводниковых слоев, и может быть использовано при изготовлении приборов и устройств полупроводниковой, оп- тоэлектронной и интегральной оптики.

Целью изобретения является расширение диапазона получаемых соединений и их твердых растворов и упрощение процесса.

На чертеже представлен температурный цикл осаждения слоев по предлагаемому способу.

Область I показывает процесс синтеза выращиваемого соединения из отдельных компонентов в растворителе и растворение синтезированного соединения в растворителе. Область II: в печь помещают ампулу с синтезированным и диспергированным соединением и лодочкой с подложками. Осуществляют нагрев до температуры синтеза, затем охлаждение до температуры эпи1 ак- сии. Область III показывает сам процесс эпитаксии. Раствор приводят в контакт с подложками и одновременно начинают охлаждение печи со скоростью 0,5-1,0°С/мин на 100-150°С. В конце цикла (область IV) печь возвращают в первоначальное положение, при этом расплав сливают с подложки, ампулу извлекают из печи. После охлаждения ампулы до комнатной температуры, подложку с осажденным слоем извлекают из ампулы и промывают дистиллированной водой или спиртом для удаления с поверхности выращенного слоя остатков растворителя.

Изобретение может быть реализовано следующим образом.

Берут навески Zn, Те, Se из расчета получения твердого раствора, например состаXJ

ю

00

СА) Ю

4

Использование: твердотельная электроника. Способ включает синтез полупроводникового соединения из исходных элементов в присутствии соли растворителя при их нагреве в двухсекционной запаянной ампуле (А). После синтеза А разгерметизируют, во вторую секцию загружают подложку, снова запаивают А и проводят выращивание эпитаксиального слоя путем поворота А, заливки раствора-расплава на подложку и его охлаждения. Получают слои соединений А Вь и их твердых растворов широкого диапазона составов. Отпадает необходимость предварительного синтеза. 1 ил.