Изобретение относится к технологии травления высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) пленок YBa2Cu3O7-8 и изготовления этим способом элементов датчиков, сквидов и интегральных схем из ВТСП материала.
Целью изобретения является упрощение процесса травления ВТСП пленок Y-Ba-Cu-O, увеличение скорости травления при сохранении качества травления.
Указанная цель достигается тем, что в заявляемом способе травления химически активные частицы кластеры HCl ˙nH2O получают не с помощью импульсного диффузионного разряда и двухстадийным методом реализации процесса, а с помощью смешивания исходных газов хлористого водорода и паров воды в пропорциях, необходимых для получения требуемых кластеров, воздействие которых на пленку Y-Ba-Cu-O обеспечивает высокую скорость травления. Оптимальное соотношение парциальных давлений кластеров воды и хлористого водорода составляет
РPHCl 0,8-1,2
Сущность изобретения заключается в том, что при последовательном напуске в предварительно вакуумированный объем паров воды и молекул хлористого водорода образуются кластеры HCl ˙nH2O
HCl+nH2O _→ HCl·nH2O (1)
в которых из-за сильного диполь-дипольного взаимодействия молекулы HCl c n молекулами Н2О связь между атомами Н и Cl в молекуле HCl ослабевает на величину этого взаимодействия (дипольный момент молекулы HCl M 1,108 Д, молекулы воды, М 1,85 Д). Эта связь еще более ослабляется при адсорбции кластера на поверхности ВТСП пленки из-за взаимодействия с атомами поверхности образца. Если на поверхности образца адсорбируются свободная молекула HCl энергия диссоциации молекулы HCl εDo 4,431 эВ), то вследствие того, что потенциальный барьер между атомом Cl, входящим в состав молекулы HCl, и атомами поверхности образца высок, хемосорбционное взаимодействие атома Cl с атомами образца является маловероятным. Высота и ширина потенциального барьера существенно понижается, если молекула HCl находится в состав кластера. При этом энергия связи H-Cl в кластере становится равной
εD εDo εB3 εI (2) где εB3 энергия взаимодействия молекулы HCl со всеми молекулами Н2О в кластере, εI- энергия взаимодействия молекулы HCl с атомами поверхности пленки. Причем чем больше число n молекул в кластере, тем меньше εD тем больше эффективность хемосорбционного процесса атома Cl, входящего в состав кластера, с атомами поверхности пленки, т.е. больше скорость травления. Скорость травления достигает значений 340 нм/мин. Увеличение скорости травления по сравнению с "жидким" методом в заявленном способе обусловлено большей эффективностью диффузионного отвода продуктов реакции, не накапливающихся у травящейся поверхности из-за большей длины свободного пробега молекул в разреженном газе по сравнению с жидкостью отсутствия поэтому эффекта экранировки продуктами реакции поступающих к поверхности активных частиц. Увеличение же скорости травления обусловлено тем, что количество молекул HCl не лимитировано, как это имеет место в разряде, зажигаемом в смеси CCl4+H2O, где концентрация образуемых молекул HCl определяется условиями горения объемной стадии разряда.
Для обеспечения максимально возможного увеличения скорости процесса травления сначала осуществляют напуск паров воды в вакуумированную камеру до достижения в ней парциального давления паров воды равного (0,5-0,7) Р в диапазоне температур 17-25оС.
Уменьшение парциального давления Р ниже указанного предела не обеспечивает необходимую скорость травления, а при превышении указанного предела Р
при последующем напуске молекул HCl возможно появление тумана, что не обеспечивает травления в газовой фазе. После напуска паров воды осуществляют напуск газа HCl в количестве, обеспечивающем соотношение
РPHCl 0,8-1,2,
при котором достигаются максимальные скорости травления.
Эксперименты показали, что при Р < 0,9 PHCl наблюдается дефицит кластеров HCl ˙nH2O с необходимым n и, как результат, резкое снижение скорости травления из-за невозможности уменьшить связь H-Cl в кластере HCl ˙nH2O до значений, при которых эффективно проходит хемосорбция.
При Р > 1,2PHCl наблюдается появление избытка кластеров воды, в результате чего возможно появление тумана при напуске HCl, а также разбавление кластеров HCl˙n H2O избытком паров воды, что приводит к уменьшению скорости и снижению качества травления.
При температуре меньше 17оС резко уменьшается содержание паров воды по формуле Р (0,5-0,7)Р
и, соответственно, при выполнении условия Р
PHCl 0,8-1,2 PHCl тоже уменьшается, что приводит к существенному уменьшению концентрации травящих частиц и уменьшению скорости травления.
При температуре более 25оС существенно уменьшается число молекул воды в кластере воды и, следовательно, число n в кластере HCl ˙nH2O, а это приводит к замедлению травления и, возможно, появлению тумана в момент напуска HCl.
Как показали проведенные эксперименты, общее давление в смеси газов HCl и паров воды меньше расчетного и не превышает 15 Торр, что обеспечивает хорошее качество травления за счет высокой эффективности отвода от поверхности продуктов реакции. Снижение общего давления в камере по сравнению с расчетным авторы объясняют происходящими процессами кластерообразования HCl ˙nH2O и существованием при указанных температурах и давлениях паров воды в виде кластеров n Н2О, а не отдельных молекул.
Отличительными признаками способа являются:
1. Кластеры HCl ˙nH2O получают смешиванием исходных газов паров воды и хлористого водорода.
2. Напуск указанных газов осуществляют в слeдующей последовательности: сначала напускают пары воды до парциального давления Р в камере равного (0,5-0,7) Р
в диапазоне 17-425оС, затем напускают хлористый водород.
3. Соотношения указанных исходных газов берут в пределах
РPHCl 0,8-1,2. где PHCl парциальное давление хлористого водорода.
Проведенный поиск показан, что отсутствуют способы травления, в которых в качестве исходных используют пары воды и хлористый водород в газообразном состоянии при указанных соотношениях парциальных давлений и указанной последовательности их напуска в камеру.
Процесс травления ВТСП пленок Y-Ba-Cu-O по заявляемому способу осуществляется в простой вакуумированной камере без соответствующих элементов для возбуждения электрического разряда.
На фиг. 1 приведена схема устройства, с помощью которого осуществляется травление пленок ВТСП Y-Ba-Cu-O; на фиг.2 схема установки по расширению паров воды; на фиг.3 зависимость среднего числа молекул Н2О в кластере воды от давления паров воды Р на фиг.4 зависимость среднего числа молекул воды n в кластере HCl˙ nH2O; на фиг.5 зависимость скорости травления от парциального давления кластеров воды Р
Реакционная камера 1 представляет собой вакуумированный насосом 2 сосуд, в котором помещается стравливаемая пленка Y-Ba-Cu-O 3, напыленная на подложку из SrTiO3 или сапфир. Реакционная камера 1 изготавливается из материала химически нейтрального к хлористому водороду (молибденовое стекло, кварц, полимер и др.).
В начале эксперимента в предварительно откаченную камеру 1 напускают пары воды из емкости 4 до получения давления Р 7-11 Торр, что при температуре 17оС составляет (0,5-0,7)Р
Давление паров воды фиксируют манометром 5. Затем в камеру 1 напускают хлористый водород из емкости 6. Для определения количества хлористого водорода используют следующий прием. При закрытых вентилях 9 в предварительно вакуумированную камеру 8 напускают хлористый водород до давления, гораздо большего давления Р
в камере 1, например, 500 Торр. По известным объемам камер 8 и 1, а также давлению Р
в камере 1 рассчитывают необходимую убыль давления HCl в камере 8 для напуска в камеру 1 хлористого водорода в соответствии с соотношением Р
PHCl 0,8-1,2.
Открывая затем вентиль 9 напускают HCl в камеру 1 из камеры 8 до рассчитанного давления в камере 8, определяемого по показаниям манометра 10.
Этот способ измерения парциального давления хлористого водорода, напускаемого в камеру 1, в которой уже имеются пары воды, связан с тем, что из-за весьма эффективного процесса кластеризации общее давление, устанавливаемое в камере 1, всегда меньше суммы парциальных давлений паров воды и хлористого водорода. Для определения момента окончания травления используется лазерный луч 12 от маломощного лазера 13 и фотоэлемент 14.
В табл.1 приведены результаты измерения парциальных давлений паров воды, хлористого водорода и общего давления в камере. где <n> среднее число кластеров воды, приходящееся на одну молекулу HCl:
<n>
n среднее число молекул воды, которое содержит кластер типа HCl ˙nH2O (нижняя граница) n <n> n, где n соответствует своему Р(см. фиг.3 и табл. 2).
Видно, что сумма парциальных давлений Р и PHCl больше общего давления Робщ. Это связано с тем, что в объеме камеры эффективно образуется кластеры HCl˙ nH2O. Как следует из табл.1 среднее число <n> в этих кластерах составляет 0,3-0,7, если предполагать, что давление паров воды, напускаемых в камеру, соответствует молекулярному состоянию Н2О. Однако как показали эксперименты, напускаемые в камеру пары воды находятся в кластерном состоянии <n> (H2O)n, поэтому <n> среднее число кластеров воды, приходящееся на одну молекулу HCl.
На фиг. 2 представлена схема установки по расширению паров воды. Камеры 15 с объемом V1 предварительно вакуумируется форвакуумным насосом 16, вакуумируется также емкость 17 с объемом V2, причем V1>>V2. Затем вентилем 17 камера 15 и емкость 17 перекрываются и в емкость 17 напускаются пары воды из емкости 19; давление паров воды фиксируется манометром 20. Далее рассчитывается давление при распределении заданного количества молекул воды в объеме V1+V2 в предположении, что число частиц в объеме V1 остается неизменным. Открыв затем вентиль 18, соединяют объемы V1 и V2, при этом вентиль 21 должен быть закрыт. Манометром 20 и 22 измеряют установившееся давление в объеме V1+V2. Результаты экспериментов говорят о том, что это установившееся давление существенно расчетное значение давления в том же самом объеме V1+V2. Контрольные эксперименты, проведенные по той же методике с сухим воздухом, показали, что измеренные и расчетные значения давления в объеме V1+V2 после расширения совпадают с точностью 1-2%
В табл.2 приведены результаты эксперимента по расширению паров воды.
Здесь Р давление паров воды в объеме V1Pобщ.эксп. измеренное значение давления паров Н2О в объеме V1+V2, Робщ.расп. расчетное значение давления в том же объеме, Т температура при которой проводился эксперимент и
- среднее значение молекул воды в кластере
H2O. Таким образом, при температуре порядка комнатной, пары воды существуют не в виде отдельных молекул, а в основном, в кластерном состоянии. Как видно из табл.2, расширение паров воды приводит к распаду части кластеров и приведенные значения
представляют собой некоторую нижнюю границу.
На фиг. 3 представлена зависимость от первоначального давления паров воды Р
в объеме V1. Видно, что при увеличении Р
значение
увеличивается и максимальное значение
, найденное в эксперименте, достигает 13,4.
Таким образом, приведенные в табл.1 значения <n> представляют собой не число молекул в кластере HCl˙ nH2O, а среднее число кластеров воды, приходящееся на одну молекулу HCl. В этой же таблице приведены рассчитанные значения n, причем n > <n>.
На фиг. 4 приведена зависимость среднего числа молекул воды в кластере HCl ˙nH2O, рассчитанная из данных эксперимента по расширению паров Н2О. Следует иметь в виду, что значения n на фиг.4 являются, очевидно, заниженными. Это связано с тем, что при расширении паров воды до данного давления средняя величина в кластере вод уменьшается и
> 1 > 1, но она, конечно, не равна 1.
На фиг.5 представлена зависимость скорости травления ВТСП пленки Y-Ba-Cu-O от парциального давления паров воды (кластеров воды). Видно, что при увеличении Р скорость травления от значений близких к нулю при Р
7 Торр и до максимального значения, равного 340 нм/мин, при Р
10 Торр. Оптимальное соотношение парциальных давлений кластеров воды и хлористого водорода, как видно из рисунка на фиг.5, составляет Р
HCl 0,8-1,2. При дальнейшем увеличении Р
скорость травления уменьшается и асимптотически приближается к значениям, близким к скорости травления в жидкости. Такое поведение зависимости Vтр от Р
при больших парциальных давления паров воды, т. е. уменьшение Vтр, обусловлено ухудшением условий диффузионного отвода продуктов реакции от травящейся поверхности, что имеет место при "жидком" травлении.
Однородность травления пленки ВТСП Y-Ba-Cu-O предлагаемым способом зависит от однородного нанесения пленки. Способ позволяет стравливать канавки на пленке Y-Ba-Cu-O шириной 1,5-2,5 мкм. Сверхпроводящие свойства пленки после стравливания канавок данным способом сохраняются.
Таким образом, цель изобретения упрощение процесса травления ВТСП пленок Y-Ba-Cu-O, увеличения степени технологичности процесса, увеличение скорости травления при сохранении качества травления пленок ВТСП Y-Ba-Cu-O достигнута: использование в качестве одного из газов хлористого водорода позволяет в дозированных пределах изменять содержание HCl в реакционной камере, проводя процесс травления не в две стадии, а в одну, т.е. существенно упростить процесс травления, а также увеличить степень технологичности процесса; варьирование соотношения между HCl и парами воды позволяет достичь высоких скоростей травления (при Р 10 Торр, РHCl 10 Торр и Т 23оС, Vтр. 340 нм/мин); при этом качество травления остается высоким: однородность травления лимитируется только однородностью нанесения пленок, разрешение, достигаемое данным способом 1,5-2,5 мкм, сверхпроводящие свойства нестравленных областей сохраняются.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ПЛЕНОК СОЕДИНЕНИЙ ТИПА AB | 1990 |
|
RU2023771C1 |
Активный элемент на основе графена для газоанализаторов электропроводного типа | 2018 |
|
RU2716038C1 |
СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ПОЛИМЕРИЗАЦИИ | 1992 |
|
RU2046678C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ С ОДНОВРЕМЕННОЙ ЗАЩИТОЙ ЛИЦЕВОЙ | 1991 |
|
RU2051442C1 |
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ НА ИЗДЕЛИЯ ЗАЩИТНО-ДЕКОРАТИВНЫХ ПОКРЫТИЙ | 1992 |
|
RU2039844C1 |
ПЛАСТИНЧАТЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ПРОВОД, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ УЗЕЛ ПРОВОДА | 2006 |
|
RU2408956C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ | 1989 |
|
SU1658656A3 |
ПЛЁНКА ДВУМЕРНО УПОРЯДОЧЕННОГО ЛИНЕЙНО-ЦЕПОЧЕЧНОГО УГЛЕРОДА И СПОСОБ ЕЁ ПОЛУЧЕНИЯ | 2013 |
|
RU2564288C2 |
СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ | 1978 |
|
SU749293A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИЛЬНЫХ ПЛЕНОК | 1992 |
|
RU2046837C1 |
Изобретение относится к технологии травления высокотемпературных сверхпроводящих пленок Y-Ba-Cu-o. Сущность изобретения: воздействует на поверхность образца активными частицами кластерами HCL и H2O которые получают смешиванием исходных газов: паров воды и хлористого водорода при последовательном их напуске в вакуумированную камеру, причем сначала напускают пары воды до парциального давления в камере, равного 0,5-0,7
в диапазоне температур 17-25°С, причем соотношение исходных газов берут в пределах
где PHCl - парциальное давление хлористого водорода. Положительный эффект: процесс травления осуществляется в одну стадию, однородность травления лимитируется однородностью нанесения пленок, сохраняются сверхпроводящие свойства нестравленных областей. При
и Т-23°С достигнута скорость травления 340 Нм/мин. 2 табл. 5 ил.
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК Y-BA-CU-O, заключающийся в воздействии химически активных частиц-кластеров HCl · nH2O в газовой фазе на поверхность образца, помещенного в вакуумированную камеру, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса травления и увеличения скорости при сохранении качества травления, кластеры HCl · nH2O получают смешиванием паров воды и хлористого водорода при последовательном их напуске в вакуумированную камеру, причем сначала напускают пары воды до парциального давления в камере, равного (0,5 - 0,7)
при температуре 17 25oС, а отношение исходных газов берут в пределах
PHCl 0,8 1,2, где PCl парциальное давление хлористого водорода.
Авторское свидетельство СССР N 1660544, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1995-07-09—Публикация
1991-03-15—Подача