НЕЛИНЕЙНЫЙ РЕЗИСТОР Советский патент 1967 года по МПК H01C7/112 H01C7/115 

Известные нелинейные резисторы, изготовленные из смеси (в вес. о/о) ZnO 10-35 и ZnaTiOj, ZnoSnOi, ZnAUO или ZrOa 65-90 имеют относительно большую собственную емкость.

Описываемый резистор отличается тем, что в исходную смесь вводят 0,25-2 (в вес. о/о) борной кислоты (НзВОз) или 1-10 пятиокиси ванадия (VgOs).

Синтезируют исходную смесь нри 1280- 1320°С, измельчают синтезированный материал, вводят в него борную кислоту или нятиокнсь ванадия, а затем подвергают его обжигу при 1300-1340°С.

Введение борной кислоты или пятиокиси ванадия нозволяют в 3,5-8 раз (в зависимости от номинального значения сопротивления резистора) снизить собственную емкость резистора.

Предмет изобретения

Нелинейный резистор, изготовленный из смеси (в вес. %) 10-35 ZnO и 65-90 ZnoTiOj, ZngSnOi, ZnAl2O4 или ZrO2, отличающийся тем, что, с целью уменьшения величины собственной емкостн резистора, в исходную смесь вводят (в вес. о/о) 0,25-2 борной кислоты (НдВОз) или 1 -10 нятнокиси ванадия (VoOs).