СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Советский патент 1968 года по МПК C30B23/00 C30B29/50 

Известен способ выращивания монокристаллов соединений с высокой упругостью пара при температуре плавления, например сульфида кадмия, перекристаллизацией через паровую фазу в герметичной ампуле, вытягиваемой из зоны нагрева, создаваемой печью сопротивления, с вертикальным температурным градиентом. Особенностью, предложенного способа является то, что зону нагрева создают при помощи ванны расплавленного вещества, нагретого у поверхности до более низкой температуры, чем температура конденсации паров перекристаллизуемого соединения при условиях выращивания. Это обеспечивает более стабильные и благоприятные условия кристаллизации, следовательно, повышение скорости выращивания. Сущность изобретения поясняется чертежом. Ампулу 1 с исходным материалом погружают полностью в расплавленное вещество 2, иагреваемое печью 3 сопротивления. В расплаве создают вертикальный температурный градиент с температурой расплава у поверхности ниже температуры конденсации паров перекристаллизуемого соединения при условиях выращиваиия, регулируя взаимное расположение ванны с расплавом и печи 3 и интенсивность перемешивания расплава. Для компенсации тепловой асимметрии системы ампулу вращают вокруг оси. В расплаве ампула находится в течение времени, необходимого для спекания и уплотнения загрузки. Затем ее начинают вытягивать вверх со скоростью роста монокристалла. Монокристалл начинает расти в верхней части ампулы, расположенной в зоне более низкой температуры. При выращивании по описываемой схеме возможно образование небольшого температурного градиента между зонами роста и испарения и крутого градиента за зоной кристаллизации у поверхности расплава. Влияние растущего кристалла на условия кристаллизации благодаря этому значительно уменьшается. Достижение более стабильных условий кристаллизации дает возможность повысить скорость выращивания монокристаллов сульфида кадмия до 1,5 мм/час. Предмет изобретения Способ выращивания монокристаллов соединений, например сульфида кадмия, перекрясталлизацией через паровую фазу в герметичной ампуле, вытягиваемой со скоростью роста монокристалла из зоны нагрева с вертикальным температурным градиентом, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости выращивания, зону нагрева создают при помощи ванны расплавленного вещества, нагретого

у поверхности до температуры, меньшей температуры конденсации паров перекристаллизуемого соединения при условиях выращивания.