Известен способ контроля структуры слитка в процессе его кристаллизации.
Для определения микронеоднородности слитка предложено непрерывно измерять колебания электрического сопротивления кристаллизующегося слитка и по частоте колебаний определять частоту выпадения кристаллизующихся слоев.
Способ основывается на явления изменения сопротивления металла при фазовом переходе и дискретном характере кристаллизации.
Выпадение кристаллизующего слоя происходит по достижении требуемого переохлаждения скачком с выделением тепла, на отсос которого требуется определенное время.
Расстояние между кристаллизующимися слоями прямо пропорционально градиенту температуры на фронте кристаллизации. Чем больще при заданной скорости роста градиент, тем выще частота колебаний сопротивлекия, тем тоньще слои роста.
Колебания сопротивления кристаллизующегося слитка можно контролировать, измеряя колебания рабочего тока, протекающего через слиток (или напряжения, если питание осуществляется от параметрического стабилизатора тока), например при электрощлаковом переплаве, а также, измеряя колебания измерительного тока (или напряжения при питании от параметрического измерительного стабилизатора тока), причем для этого требуется к слитку подвести питание от независимого источника, например при выращивании монокристаллов, в электроннолучевых плавильных установках.
Контроль скорости роста слитка можно производить путем измерения скорости подачи электрода, например при электрощлаковом переплаве, или скорости вытягивания слитка, например при выращивании монокристаллов и непрерывной разливке.
Сопоставление скорости роста слитка и частоты колебаний сопротивления с целью определения расстояния между кристаллизующимися слоями, т. е. с целью оценки микронеоднородности, заключается и делении измеренной скорости роста слитка на измеренную частоту колебаний сопротивления с учетом коэффициента пропорциональности, определяемого расчетным путем или экспериментально.
Предмет изобретения
Способ контроля структуры слитка в процессе его кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью определения микронеоднородности слитка непрерывно измеряют колебания электрического сопротивления кристаллизующегося слитка и по частоте колебаний определяют частоту выпадения кристаллизующихся слоев.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛИТКОВ МЕТАЛЛОВ И СПЛАВОВ В ОХЛАЖДАЕМОМ КРИСТАЛЛИЗАТОЙЕесФюа;mi | 1970 |
|
SU265318A1 |
СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА С ОРИЕНТАЦИЕЙ В С-ПЛОСКОСТИ | 2007 |
|
RU2436875C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОДНОРОДНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2003 |
|
RU2257428C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ CdZnTe, где 0≤х≤1 | 2005 |
|
RU2330126C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ | 2014 |
|
RU2579389C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ | 2005 |
|
RU2341594C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДАБОРА | 1966 |
|
SU185087A1 |
СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ОСОБО ЧИСТЫХ МЕТАЛЛОВ И МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ НИХ | 2005 |
|
RU2312156C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ БЕСТИГЕЛЬНОЙ ЗОННОЙ ПЛАВКИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2519410C2 |
ВСЕСОЮЗНАЯ 'ПАТЕйТйО-ТШЙНЕСНйЯ;ЬИьЛИ.ОТЕКЛ | 1972 |
|
SU336353A1 |
Авторы
Даты
1968-01-01—Публикация